时间:2025/12/26 18:22:19
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30CTQ100PBF是一款由ON Semiconductor(安森美)生产的肖特基势垒二极管阵列,采用中心抽头配置,专为高频开关电源应用而设计。该器件封装在一个TO-220AC(也称作TO-220AB)的塑料封装中,具备良好的热性能和机械稳定性,适用于需要高效整流功能的电路系统。30CTQ100PBF内部集成了两个肖特基二极管共阴极连接,等效于一个中心抽头结构,使其非常适合用于单端或全波整流拓扑中,尤其是在低压大电流输出的应用场景下表现出色。由于肖特基二极管具有较低的正向导通压降(VF),相较于传统的快恢复二极管,能够显著降低功率损耗,提高整体电源转换效率。此外,该器件符合RoHS环保标准,并带有‘PbF’(Lead-Free)标识,表明其为无铅产品,适用于现代绿色电子产品制造。30CTQ100PBF广泛应用于计算机主板、服务器电源、DC-DC转换器、笔记本适配器以及其他对能效和散热有较高要求的电源管理系统中。
型号:30CTQ100PBF
制造商:ON Semiconductor
器件类型:肖特基势垒二极管阵列(双二极管共阴极)
最大重复峰值反向电压(VRRM):100V
平均整流电流(IO):30A(在指定条件下)
非重复峰值浪涌电流(IFSM):150A(8.3ms半正弦波)
正向压降(VF):典型值0.57V,最大值0.65V(在TJ=125°C,IF=15A时每条支路)
反向漏电流(IR):最大5.0mA(在VR=100V,TJ=125°C)
工作结温范围(TJ):-65°C 至 +150°C
存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +150°C
封装形式:TO-220AC(通孔安装)
引脚数:3
是否无铅:是(Pb-Free)
是否符合RoHS:是
30CTQ100PBF的核心特性之一是其低正向压降性能,在高电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗,从而有效提升电源系统的整体效率。在TJ=125°C且每条支路通过15A电流时,其最大正向压降仅为0.65V,相比传统PN结二极管可减少约30%-40%的导通功耗。这一优势在大电流、低电压输出的DC-DC转换器中尤为重要,例如为CPU或GPU供电的VRM(电压调节模块)电路中,轻微的压降降低即可带来显著的温升改善和能效优化。该器件采用肖特基势垒技术,利用金属-半导体结实现单向导电性,避免了少数载流子的存储效应,因此具备极快的开关速度和极短的反向恢复时间(trr接近于零)。这意味着在高频开关环境下不会产生明显的反向恢复电流尖峰,减少了电磁干扰(EMI)和开关节点的电压振荡,有助于提升系统可靠性并简化滤波设计。
另一个关键特性是其高电流承载能力与优异的热管理设计。30CTQ100PBF标称平均整流电流可达30A,适合用于高功率密度电源应用。其TO-220AC封装具有较大的铜导线框架面积,有利于热量从芯片传导至散热片或PCB,配合良好的散热设计可在连续工作状态下稳定运行。器件的工作结温最高可达+150°C,体现了其在高温环境下的可靠性。同时,反向漏电流控制良好,在125°C高温下最大漏电流为5mA,虽高于室温水平,但在同类器件中属于合理范围,不会对大多数应用造成显著影响。该器件还具备较强的浪涌电流承受能力,非重复峰值达150A,能够在启动或瞬态负载变化时提供足够的安全裕度。此外,中心抽头结构简化了变压器次级侧的整流布线,减少了元件数量和PCB空间占用,提升了系统集成度。由于其无铅环保设计,满足国际环保法规要求,适用于出口型电子产品及工业级设备。
30CTQ100PBF主要应用于需要高效、大电流整流功能的开关电源系统中。常见用途包括台式机、笔记本电脑和服务器的AC-DC适配器及板载电源模块,特别是在+5V或+3.3V输出通道中作为同步整流或自由轮续流二极管使用。在DC-DC降压转换器中,它常被用于多相供电架构中的输出整流部分,配合控制器和MOSFET实现高效的能量传递。由于其低VF和快速响应特性,特别适合用于高频率工作的电源拓扑,如正激式(Forward)、推挽式(Push-Pull)和半桥式(Half-Bridge)变换器。在网络通信设备、路由器、交换机的内部电源单元中,该器件也发挥着重要作用,保障长时间运行下的稳定性和能效表现。此外,30CTQ100PBF还可用于电池充电器、LED驱动电源、工业控制系统以及消费类电子产品的电源适配器中。在汽车电子领域,尽管其封装形式不适合直接车载环境,但可用于外部充电装置或车载信息娱乐系统的外接电源模块。总之,凡是在低压、大电流、高效率需求场景下的整流任务,30CTQ100PBF都是一种可靠且成熟的选择。
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