类型：NPN双极晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：150mA
　　最大功耗（PD）：100mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-323（SC-70）

2SC1214DTZ晶体管具有优异的高频性能，其特征频率（fT）可达80MHz，使其非常适合用于射频和中频放大器电路。
　　该晶体管的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）较低，在最大额定电流下仍能保持较低的功耗，从而提高电路的整体效率。
　　此外，2SC1214DTZ的封装采用紧凑的SOT-323形式，便于自动化生产和表面贴装，适用于现代电子设备中对空间和重量要求严格的场景。
　　该晶体管的制造工艺确保了良好的热稳定性和长期可靠性，能够在各种工作条件下保持稳定的性能。
　　由于其良好的增益特性和低噪声系数，2SC1214DTZ也常用于低噪声前置放大器的设计。

2SC1214DTZ晶体管广泛应用于高频放大器、射频电路、中频放大器和开关电路中。
　　在无线通信系统中，它常用于射频前端的信号放大和处理。
　　在消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和便携式音频设备中，2SC1214DTZ用于信号处理和电源管理电路。
　　此外，该晶体管还可用于各种传感器电路、音频放大器和低噪声放大器设计中。
　　其紧凑的封装形式也使其成为高密度印刷电路板（PCB）设计的理想选择。

2SC1214D-TZ, 2SC1214D-TAZ, 2SC1214F-TZ