时间：2025/12/26 19:58:55
阅读：9
30CTH02PBF是一款由Vishay Semiconductors生产的高性能双共阴极肖特基整流二极管模块，专为高效率电源转换应用而设计。该器件采用紧凑的TO-220AB封装，内部集成了两个独立的肖特基二极管，连接方式为共阴极配置，适用于需要低正向压降和快速开关特性的电路场景。30CTH02PBF的额定平均正向整流电流为30A，最大反向重复峰值电压为20V，使其特别适合用于低压、大电流的整流场合，如开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器以及电池充电系统等。该器件基于肖特基势垒技术，具有无反向恢复时间（trr ≈ 0）的特性，显著降低了开关损耗，提高了系统整体效率。此外，30CTH02PBF符合RoHS环保标准，并通过了Pb-free（无铅）认证，满足现代电子产品对环境友好型元器件的要求。其TO-220AB封装具备良好的热传导性能，可通过外接散热片有效降低结温，提升长期运行的可靠性。该器件工作结温范围为-65°C至+175°C，适应严苛的工业与汽车级应用环境。
型号：30CTH02PBF
制造商：Vishay Semiconductors
器件类型：双共阴极肖特基整流二极管
封装形式：TO-220AB
最大反向重复峰值电压（VRRM）：20V
最大直流阻断电压（VR）：20V
平均正向整流电流（IF(AV)）：30A（单个二极管）
峰值非重复浪涌电流（IFSM）：180A（@8.3ms半正弦波）
最大正向压降（VF）：0.54V @ 15A, 110°C（每个二极管）
典型正向压降（VF）：约0.48V @ 10A
反向漏电流（IR）：≤ 2.0mA @ 20V, 125°C
热阻（RθJC）：约1.2°C/W
工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
引脚数：3
安装方式：通孔（Through-Hole）
是否无铅：是（符合RoHS）
30CTH02PBF的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种结构利用金属-半导体结代替传统的PN结，从而实现了极低的正向导通压降和近乎零的反向恢复时间。在高频开关电源中，传统快恢复二极管由于存在明显的反向恢复电荷（Qrr），会在开关瞬间产生较大的尖峰电流和电磁干扰，增加功率损耗。而30CTH02PBF由于没有少数载流子存储效应，反向恢复时间几乎可以忽略不计，极大地减少了开关过程中的能量损耗，提升了系统的转换效率并降低了EMI噪声水平。该器件的正向压降在满载条件下仅为0.54V左右（测试条件：15A, 110°C），相比同类硅基快恢复二极管通常0.8V~1.2V的压降表现更为优异，这直接转化为更低的导通损耗和更少的热量生成。
该器件设计为双共阴极结构，即两个肖特基二极管的阴极内部连接在一起，从同一引脚引出，适用于全波整流或双路同步整流拓扑，简化了PCB布局并减少了外部连接点。其30A的平均整流电流能力使其能够支持大功率输出需求，广泛应用于服务器电源、电信设备电源模块及工业电源系统中。TO-220AB封装不仅具备良好的机械强度，还拥有较低的热阻（约1.2°C/W），允许热量高效地从芯片传递至散热器，确保长时间高负载运行下的热稳定性。此外，器件经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温存储（HTSL）和温度循环试验，确保在恶劣环境下仍能稳定工作。30CTH02PBF还具备出色的浪涌电流承受能力，可耐受高达180A的非重复浪涌电流，增强了系统应对启动冲击或异常工况的能力。
30CTH02PBF主要应用于需要高效、低压大电流整流的电力电子系统中。其典型应用场景包括开关模式电源（SMPS），特别是在输出电压低于5V的低压大电流DC-DC转换器中，作为次级侧整流元件使用，替代传统的整流桥或快恢复二极管以提高效率。在服务器电源、通信电源和工业控制电源中，该器件常用于中心抽头变压器的全波整流电路或同步整流拓扑中，发挥其低VF和零trr的优势。此外，在不间断电源（UPS）、逆变器和太阳能微逆变器系统中，30CTH02PBF可用于直流母线的续流或防反接保护电路。在电池管理系统（BMS）和电动工具电源模块中，该器件也常被用作防止反向电流流动的隔离二极管。由于其高电流承载能力和良好的热性能，30CTH02PBF同样适用于焊接设备、电机驱动器和电镀电源等工业设备中的整流环节。在汽车电子领域，尽管其20V耐压限制了高压应用，但在车载DC-DC转换器或辅助电源中仍有潜在用途。总之，凡是在低电压、高电流、高频率条件下要求高效率整流的场合，30CTH02PBF都是一个极具竞争力的选择。
MBR3020CTLF
STPS30L20CT
SS330-TP
