303CNQ100R 时间：2025/12/26 20:23:57 阅读：17

303CNQ100R是一款由Vishay Semiconductor生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列，采用共阴极配置，封装形式为SMC（DO-214AB）。该器件专为高效能、高密度的电源应用设计，特别适用于需要低正向电压降和快速开关特性的场合。两个独立的肖特基二极管集成在一个紧凑的封装中，有助于节省PCB空间并提高系统集成度。由于其低功耗特性，303CNQ100R广泛用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器以及极性保护电路中。该器件符合RoHS指令，属于绿色环保产品，适合在现代电子设备中使用。
　　肖特基二极管的核心优势在于其金属-半导体结结构，相较于传统的PN结二极管，具有更低的正向导通压降（VF）和更快的反向恢复速度。这使得303CNQ100R在高频整流和能量回收应用中表现出色，能够显著降低系统功耗并提升整体效率。此外，其SMC封装具备良好的热性能和机械稳定性，可在自动化贴片生产线上高效组装，适用于大规模工业制造。

参数

类型：共阴极双肖特基二极管
　　峰值重复反向电压（VRRM）：100 V
　　平均整流电流（IO）：3.0 A
　　正向压降（VF）：典型值0.875 V（在3.0 A条件下）
　　最大浪涌电流（IFSM）：60 A
　　反向漏电流（IR）：最大5.0 mA（在100 V、25°C条件下）
　　工作结温范围（TJ）：-65 °C 至 +125 °C
　　存储温度范围（TSTG）：-65 °C 至 +150 °C
　　封装：SMC（DO-214AB）
　　安装类型：表面贴装

特性

303CNQ100R的核心特性之一是其低正向压降性能，在额定电流3.0 A下，典型正向压降仅为0.875 V，最大值通常不超过1.0 V。这一特性直接降低了导通损耗，提升了电源系统的整体能效，尤其适用于对效率要求较高的DC-DC降压或升压转换器。低VF还意味着更少的热量产生，从而减少散热设计的复杂性和成本。此外，由于肖特基二极管本质上是多数载流子器件，不涉及少数载流子的存储效应，因此具备极快的开关速度和几乎可以忽略的反向恢复时间（trr），这使其非常适合高频开关应用，如PWM控制的电源拓扑中，有效避免了反向恢复带来的尖峰电流和电磁干扰问题。
　　另一个重要特性是其共阴极双二极管结构，允许两个阳极共享一个公共阴极端子，这种配置常用于全波整流电路或双路输出电源中的续流/箝位功能。与分立式二极管相比，集成封装不仅节省了PCB布局空间，还提高了可靠性，减少了焊接点数量和潜在故障点。SMC封装具有较大的焊盘面积，有助于良好的热传导，使器件能够在较高环境温度下稳定运行。该器件还具备较强的浪涌电流承受能力，最大非重复浪涌电流可达60 A，确保在开机瞬间或负载突变时仍能安全工作。
　　从可靠性角度看，303CNQ100R通过了严格的工业级认证，能够在-65°C至+125°C的结温范围内长期稳定工作，适用于各种严苛的工业和消费类应用场景。其反向漏电流在高温下虽有所增加，但在100 V偏置下仍控制在5 mA以内，属于正常范围。此外，该器件无铅、符合RoHS标准，支持环保生产工艺，并兼容大多数回流焊工艺曲线，便于现代SMT生产线集成。

应用

303CNQ100R广泛应用于多种电力电子和电源管理场景。最常见的用途是在开关模式电源（SMPS）中作为次级侧整流二极管，尤其是在低压大电流输出的AC-DC适配器和嵌入式电源模块中，利用其低VF特性提高转换效率。在DC-DC转换器中，无论是降压（Buck）、升压（Boost）还是反激式（Flyback）拓扑，该器件均可作为续流二极管或输出整流元件，帮助实现高频率下的高效能量传递。
　　此外，该器件也常用于逆变器和电机驱动电路中的感应负载续流路径，防止电感反电动势损坏主开关器件（如MOSFET或IGBT）。其快速响应能力和低损耗特性在此类应用中尤为关键。在电池供电设备中，303CNQ100R可用于电源极性反接保护电路，防止因错误连接导致系统损坏。同时，它也可作为OR-ing二极管用于冗余电源系统，实现多电源输入之间的无缝切换。
　　在通信设备、服务器电源、LED驱动电源和消费类电子产品（如笔记本电脑、显示器、智能家居设备）中，303CNQ100R凭借其小型化封装和高性能表现，成为设计师常用的标准化元器件之一。工业控制板、PLC模块和电源分配单元（PDU）等也需要此类高可靠性二极管来保障长期稳定运行。