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2SP0115T2A017 发布时间 时间:2025/8/6 20:34:53 查看 阅读:29

2SP0115T2A017 是一款由Power Integrations推出的集成式门极驱动器芯片,专为驱动绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和功率MOSFET设计。该芯片采用双列直插封装(DIP),内置隔离变压器,提供电气隔离功能,适用于高可靠性、高功率的电力电子系统。该芯片在工业电机控制、可再生能源系统和电动汽车等领域中广泛应用。

参数

类型:门极驱动器
  封装形式:双列直插式(DIP)
  输入电源电压:15V至30V
  输出电压范围:±15V
  最大输出电流:2.5A(峰值)
  工作温度范围:-40°C至+125°C
  隔离电压:5670 Vrms(1分钟)
  响应时间:典型值100ns
  适用器件:IGBT和功率MOSFET
  驱动能力:双通道独立驱动

特性

2SP0115T2A017 具备多项先进特性,以满足高功率应用对可靠性和性能的要求。首先,该芯片内置的隔离变压器实现了输入与输出之间的高电压隔离,有效保障系统的安全性,适用于高电压和高电流环境。其次,其双通道输出可独立驱动两个功率器件,支持并联使用以增强驱动能力。
  该芯片的输入电源电压范围较宽,可在15V至30V之间稳定工作,提高了设计的灵活性。输出电压范围为±15V,可提供高达2.5A的峰值输出电流,能够快速驱动IGBT和MOSFET,减少开关损耗并提高效率。此外,其响应时间仅为100ns,确保了快速、精确的信号传输。
  在温度适应性方面,2SP0115T2A017 可在-40°C至+125°C的宽温度范围内运行,适合严苛工业环境下的应用。同时,其封装设计和内部保护机制(如过热保护和短路保护)进一步增强了系统的稳定性和寿命。

应用

2SP0115T2A017 主要应用于需要高隔离度和高效能的电力电子系统。例如,在工业电机驱动器中,该芯片用于驱动IGBT模块,实现对电机的精确控制;在太阳能逆变器和风力发电系统中,它用于提升能量转换效率和系统稳定性;在电动汽车和充电设备中,2SP0115T2A017 用于驱动功率MOSFET和IGBT,满足高性能和高可靠性的需求。
  此外,该芯片也广泛应用于不间断电源(UPS)、焊接设备、变频器以及电能质量调节系统等高功率应用场景。由于其具备电气隔离和高驱动能力,特别适用于需要长时间稳定运行的高端工业设备和新能源系统。

替代型号

2SP0115T2C0-17, 2SP0115T2E0-17

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