时间：2025/7/16 17:04:46
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2SK982(F)是一款N沟道增强型功率MOSFET，常用于电源管理和开关电路中。这款晶体管采用TO-220封装，具备低导通电阻和高耐压能力，适用于多种功率转换和控制应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流：15A
漏源击穿电压：60V
栅源电压范围：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.033Ω（最大）
功率耗散：100W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
2SK982(F)具有较低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。其高耐压能力和较大的电流承载能力使其适用于高功率应用。该器件的开关速度快，适合高频开关操作。此外，其TO-220封装便于安装在散热器上，以提高热管理性能。
该MOSFET具有良好的热稳定性和可靠性，能够在高负载条件下长时间运行。其设计确保了在各种工作环境下的稳定性能，并具有较低的开关损耗，适合用于电源转换器、马达控制和负载开关等应用。
2SK982(F)的栅极驱动要求较低，能够在较宽的栅源电压范围内正常工作。其增强型特性确保了在无栅极信号时器件处于关闭状态，提高了安全性。
2SK982(F)常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统、马达驱动器和负载开关电路。其高效率和高可靠性使其适用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品中的功率管理应用。此外，它也可用于逆变器和UPS系统中的功率开关。
2SK1118(F), 2SK2545(F)
