类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（Vds）：500V
　　最大栅极电压（Vgs）：±30V
　　最大连续漏极电流（Id）：10A
　　最大功耗（Pd）：75W
　　导通电阻（Rds(on)）：0.68Ω（最大）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

2SK980XAGTL MOSFET具有多项优异特性，使其在电源转换、电机控制和音频放大等应用中表现出色。首先，其500V的漏极-源极耐压能力使其适用于高电压系统，例如开关电源（SMPS）和逆变器。其次，该器件的最大连续漏极电流为10A，具备良好的电流承载性能，适合需要中高功率输出的应用。此外，其导通电阻Rds(on)最大为0.68Ω，在同类产品中属于较低水平，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　该MOSFET采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适合高功率密度设计。其栅极电压范围为±30V，具备较强的栅极抗扰能力，提高了器件在复杂电磁环境中的稳定性。另外，该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，可在极端温度环境下稳定运行，适用于工业级和车载电子系统。Toshiba的沟槽式MOSFET技术也确保了器件在高频开关应用中的优异表现，降低了开关损耗并提高了响应速度。

2SK980XAGTL 主要用于以下几类应用：首先，在开关电源（SMPS）中作为主开关器件，适用于AC-DC和DC-DC转换器；其次，在电机驱动电路中用于控制直流电机或步进电机的启停与转向；第三，在音频功率放大器中作为输出级开关，提供高保真音频信号放大；此外，该器件还适用于逆变器、电子镇流器、LED驱动器和工业自动化控制系统等需要中高功率MOSFET的场合。由于其高可靠性和良好的热稳定性，也适合在车载电子系统和工业设备中使用。

2SK1334, 2SK1530, 2SK2141