类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：25 V
　　最大集电极电流（IC）：50 mA
　　最大功耗（Ptot）：250 mW
　　直流电流增益（hFE）：60 - 240（典型值120）
　　过渡频率（fT）：5 GHz
　　噪声系数（NF）：1.1 dB @ 1 GHz
　　集电极-基极反向击穿电压（BVCBO）：30 V
　　发射极-基极反向击穿电压（BVEBO）：2 V
　　结温（Tj）：150 °C
　　封装形式：SOT-23

BFR90具备出色的高频响应能力，其过渡频率高达5 GHz，使其能够在UHF及L波段范围内实现高效的信号放大。这一特性使得它非常适合用于诸如GSM、DECT、蓝牙和无线局域网（WLAN）等现代通信系统的前置放大级。在1 GHz频率下，其典型噪声系数仅为1.1 dB，表现出卓越的低噪声性能，有助于提升接收机的灵敏度。同时，该晶体管具有适中的增益水平，在宽频带内保持良好的增益平坦度，确保了信号放大的稳定性与一致性。
　　BFR90的直流电流增益范围为60至240，可根据具体应用选择合适批次的器件以优化电路性能。这种灵活性有利于在不同增益需求的应用中进行匹配设计。其最大集电极电流为50 mA，适用于小信号放大而非大功率输出场景，因此常被配置于低功耗射频链路中。器件的最大集电极-发射极电压为25 V，提供了足够的电压裕度，可在多种供电条件下稳定运行。
　　SOT-23封装不仅体积小巧，便于高密度PCB布局，而且具有良好的热传导性能和高频寄生参数控制能力。这使得BFR90在高频应用中能够有效减少引脚电感和杂散电容的影响，从而维持较高的电路Q值和选择性。此外，该器件具有良好的线性度，在输入信号动态范围内不易产生显著的非线性失真，有利于保持信号完整性。
　　由于采用硅双极工艺制造，BFR90相较于砷化镓（GaAs）器件成本更低，且更容易与标准硅集成电路集成。尽管其绝对频率上限不及某些专用微波晶体管，但在性价比和通用性方面表现突出。工程师在设计时通常会结合偏置网络、阻抗匹配电路和滤波结构来充分发挥其性能潜力。总体而言，BFR90是一款兼顾性能、可靠性和经济性的高频小信号晶体管，适用于多种射频模拟电路拓扑结构。

BFR90主要用于各类高频小信号放大电路，特别是在需要低噪声和高增益的无线通信接收前端。常见应用包括蜂窝移动通信设备中的射频放大器，如GSM手机模块、无绳电话（DECT）基站和手持对讲机系统。在这些设备中，BFR90通常作为第一级低噪声放大器（LNA），用于增强微弱的接收到的射频信号，同时尽可能少地引入额外噪声，从而提高整个接收链路的信噪比。
　　此外，该器件也广泛应用于无线数据传输系统，例如早期的蓝牙模块和802.11b WLAN接入点中，用于2.4 GHz ISM频段的小信号放大。由于其在1 GHz附近具有优异的噪声系数和增益特性，BFR90特别适合用于UHF电视调谐器、FM收音机高频头以及卫星接收设备中的本振缓冲放大器或混频器驱动级。
　　在测试仪器和测量设备领域，BFR90也被用作宽带放大器单元的一部分，用于构建频率扩展模块或信号调理电路。其稳定的增益特性和较宽的工作频率范围使其能够适应多种测试场景下的信号放大需求。
　　工业遥控系统、遥测装置和无线传感器网络节点中，BFR90可用于构建简单的射频发射或接收前端，尤其适用于传输距离较短、功耗受限的应用场合。其SOT-23封装便于自动化贴片生产，适合大规模批量制造。此外，在教育实验和射频教学平台中，BFR90因其参数明确、资料丰富而常被选作高频电路实验的教学元件，帮助学生理解共射极放大器、阻抗匹配和稳定性分析等核心概念。

BFR92A
　　BFQ67
　　MPSH10
　　2SC3838
　　MMBT918