2SK974L 时间：2025/9/7 16:08:28 阅读：9

2SK974L是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频和低噪声放大器应用。该器件具有低噪声、高增益和优良的线性度，适用于射频（RF）和通信设备中的信号放大。该MOSFET采用TO-92封装，体积小巧，便于在高密度电路板上使用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±5V
　　连续漏极电流（Id）：10mA
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-92
　　过渡频率（fT）：300MHz
　　噪声系数（NF）：0.6dB（典型值）
　　增益（G）：18dB（典型值）

特性

2SK974L的主要特性包括低噪声系数和高增益，使其非常适合用于高频小信号放大应用。该器件的过渡频率高达300MHz，确保其在射频范围内具备良好的性能表现。其噪声系数仅为0.6dB，意味着该MOSFET在信号放大过程中引入的噪声极低，有助于维持信号的清晰度和完整性。此外，该器件具有良好的线性度和稳定性，适用于要求高精度信号处理的场合。TO-92封装不仅节省空间，而且便于手工焊接和维护，适合实验和小批量生产使用。
　　该MOSFET还具有良好的热稳定性和较低的功耗，适合在宽温度范围内工作。其漏极电流为10mA，适合用于低功耗设计。栅源电压限制为±5V，用户在设计驱动电路时需注意控制信号的幅度，以防止损坏器件。2SK974L广泛用于无线通信设备、收音机、测试仪器等对噪声敏感的电路中。

应用

2SK974L主要应用于射频前端放大器、低噪声放大器（LNA）、通信设备、无线接收机以及测试和测量仪器中。由于其低噪声系数和高增益，它非常适合用于需要高灵敏度的接收器电路。此外，该器件也可用于音频放大器的前置放大级，以提高信号的信噪比。在无线通信系统中，2SK974L可用于提高接收信号的强度和清晰度，确保数据传输的稳定性。在实验和教育领域，该器件也常用于电子工程实验和教学演示，帮助学生理解MOSFET的工作原理及其在高频电路中的应用。