型号：2SK968-5-TB
　　通道类型：P沟道（确认依据数据手册）
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-7.4A（@Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-25A
　　导通电阻（RDS(on)）：32mΩ（@VGS=-10V）；40mΩ（@VGS=-4.5V）
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.5V
　　输入电容（Ciss）：1300pF（@VDS=15V）
　　开关时间：开启时间（ton）约15ns，关断时间（toff）约30ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-8

2SK968-5-TB具备多项优异的电气与物理特性，使其在现代低电压高效率电源管理应用中占据重要地位。首先，该器件采用了东芝专有的沟槽结构工艺，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提升了整体系统效率。其最大RDS(on)在VGS=-10V时仅为32mΩ，在同类P沟道MOSFET中属于较低水平，特别适用于大电流负载开关和同步整流拓扑。这种低RDS(on)特性在电池供电设备中尤为重要，能够有效延长续航时间并减少发热。
　　其次，2SK968-5-TB具有优良的开关性能。其输入电容（Ciss）约为1300pF，在高频开关应用中能够实现快速响应。开关时间方面，开启时间（ton）约为15ns，关断时间（toff）约为30ns，确保了在高频DC-DC转换器中的高效运行。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，减少了驱动电路的能量消耗，进一步提升了系统的能效表现。
　　再者，该MOSFET具备良好的热稳定性与可靠性。SOP-8封装不仅节省PCB空间，还通过优化引脚布局增强了散热能力。结温最高可达+150°C，保证了在高温环境下的长期稳定运行。同时，器件内置一定的ESD保护能力，能够承受一定程度的静电放电冲击，提升了生产装配过程中的鲁棒性。
　　最后，2SK968-5-TB的阈值电压范围为-1.0V至-2.5V，属于标准逻辑电平兼容范围，可直接由3.3V或5V微控制器GPIO引脚驱动，简化了外围电路设计。其负向阈值电压特性使得在高端开关配置中无需复杂的电平移位电路，降低了系统成本与复杂度。综合来看，这些特性使2SK968-5-TB成为许多中低功率电源管理系统中的理想选择。

2SK968-5-TB主要应用于各类需要高效、紧凑型功率开关的电子系统中。典型应用包括同步整流型DC-DC转换器，特别是在降压（Buck）变换器的上管或下管位置，利用其低导通电阻和快速开关特性来提高转换效率。在便携式电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理模块中，该器件常用于电池充电路径控制、电源通路管理（Power Path Management）以及负载开关电路，实现对不同电源输入（如USB、适配器、电池）之间的无缝切换。
　　此外，2SK968-5-TB也广泛用于电机驱动电路，尤其是微型直流电机或步进电机的H桥驱动结构中，作为低端或高端开关元件。其P沟道特性在高端驱动中无需自举电路，简化了栅极驱动设计，特别适合于低成本、小体积的驱动方案。在工业控制系统中，该器件可用于继电器驱动、电磁阀控制和LED驱动电源等场景，提供可靠的开关功能。
　　另一个重要应用领域是热插拔（Hot-Swap）电路和过流保护模块。凭借其快速响应能力和精确的电流控制特性，2SK968-5-TB可以作为主开关管，配合电流检测电阻和控制IC实现软启动、限流和短路保护等功能，防止系统因瞬态过载而损坏。此外，在UPS不间断电源、通信基站电源模块和消费类适配器中，该器件也常被用于次级侧整流或辅助电源开关，提升整体能效和系统稳定性。
　　总之，得益于其高集成度、优良的电气性能和小型化封装，2SK968-5-TB在现代电子设备中扮演着关键角色，尤其适用于追求高效率、小体积和高可靠性的电源设计需求。

TPSMB30A-TL-H
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