IPTC019N10NM5是一款由Infineon(英飞凌)生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件属于OptiMOS系列,采用TOLL封装形式。它主要应用于需要高效能开关的场合,例如电机驱动、DC-DC转换器、逆变器等高功率密度应用。该型号具有低导通电阻和快速开关特性,有助于提高系统效率并减少热量产生。
该MOSFET为N沟道类型,耐压等级为100V,适用于工业和汽车领域的各种电力电子设备。
额定电压:100V
最大导通电阻(Rds(on)):1.9mΩ
连续漏极电流(Id):238A
栅极电荷(Qg):76nC
反向恢复时间(trr):24ns
工作温度范围:-55℃至175℃
IPTC019N10NM5具有非常低的导通电阻,这有助于降低导通损耗,并且其快速的开关速度能够减少开关损耗,从而提高整体效率。
该器件还具备出色的热稳定性,在高温环境下也能保持稳定的性能。此外,TOLL封装提供了卓越的散热性能和电气性能,支持更高的电流密度和更小的PCB面积占用。
IPTC019N10NM5采用了英飞凌先进的OptiMOS技术,确保了在各种应用场景下的高可靠性。同时,由于其快速的反向恢复时间和较低的栅极电荷,该MOSFET非常适合高频开关应用。
IPTC019N10NM5广泛应用于工业和汽车领域,典型应用包括:
1. 电机驱动和控制
2. DC-DC转换器
3. 电动工具中的功率管理
4. 电动汽车充电设施
5. 通信电源
6. 太阳能逆变器
该器件因其高性能和高可靠性,成为许多高功率应用的理想选择。
IPTC022N10NM5
IPTC028N10NM5
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