时间：2025/4/25 15:40:08
阅读：25
IPTC019N10NM5是一款由Infineon（英飞凌）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件属于OptiMOS系列，采用TOLL封装形式。它主要应用于需要高效能开关的场合，例如电机驱动、DC-DC转换器、逆变器等高功率密度应用。该型号具有低导通电阻和快速开关特性，有助于提高系统效率并减少热量产生。
该MOSFET为N沟道类型，耐压等级为100V，适用于工业和汽车领域的各种电力电子设备。
额定电压：100V
最大导通电阻（Rds(on)）：1.9mΩ
连续漏极电流（Id）：238A
栅极电荷（Qg）：76nC
反向恢复时间（trr）：24ns
工作温度范围：-55℃至175℃
IPTC019N10NM5具有非常低的导通电阻，这有助于降低导通损耗，并且其快速的开关速度能够减少开关损耗，从而提高整体效率。
该器件还具备出色的热稳定性，在高温环境下也能保持稳定的性能。此外，TOLL封装提供了卓越的散热性能和电气性能，支持更高的电流密度和更小的PCB面积占用。
IPTC019N10NM5采用了英飞凌先进的OptiMOS技术，确保了在各种应用场景下的高可靠性。同时，由于其快速的反向恢复时间和较低的栅极电荷，该MOSFET非常适合高频开关应用。
IPTC019N10NM5广泛应用于工业和汽车领域，典型应用包括：
1. 电机驱动和控制
2. DC-DC转换器
3. 电动工具中的功率管理
4. 电动汽车充电设施
5. 通信电源
6. 太阳能逆变器
该器件因其高性能和高可靠性，成为许多高功率应用的理想选择。
IPTC022N10NM5
IPTC028N10NM5
IPTC033N10NM5
