2SK906 是一款由日本东芝公司(Toshiba)制造的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高频放大器、开关电源、逆变器和电机控制等应用。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和高可靠性等特点,适用于中功率级别的电子电路设计。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):500V
最大漏极电流(ID):8A
最大栅源电压(VGS):±30V
导通电阻(RDS(on)):约0.45Ω(典型值)
最大功耗(PD):50W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-220、TO-3P等
2SK906 MOSFET具备多项优异的电气和物理特性,适用于多种电子电路设计。首先,其最大漏源电压(VDS)可达500V,使其适用于高压环境下的应用,如开关电源和逆变器设计。其次,最大漏极电流(ID)为8A,能够在中高功率应用中提供良好的电流承载能力。此外,该MOSFET的导通电阻(RDS(on))约为0.45Ω,降低了导通损耗,提高了整体效率。
该器件的栅源电压(VGS)范围为±30V,具有较强的抗电压冲击能力,能够避免因栅极电压波动而导致的损坏。最大功耗为50W,确保其在较高负载条件下仍能稳定工作。封装形式通常为TO-220或TO-3P,便于散热并提高可靠性,适用于工业控制、电源转换、照明系统等领域。
2SK906还具备良好的热稳定性和快速开关特性,适合用于高频开关电路。其工作温度范围为-55°C至+150°C,适应多种恶劣环境条件,提高了器件的适用性。
2SK906 MOSFET广泛应用于多个电子领域。在电源管理系统中,它常用于DC-DC转换器、AC-DC整流器和开关电源的主开关元件。在电机控制领域,2SK906可用于驱动直流电机或无刷电机,提供稳定的电流控制。此外,该器件也常用于逆变器电路,如UPS(不间断电源)、太阳能逆变器和电动车辆的功率转换系统。
由于其高频响应能力,2SK906也适用于音频功率放大器、高频振荡器和射频(RF)功率放大电路。在工业自动化系统中,它可用于PLC(可编程逻辑控制器)中的继电器替代元件,实现高速、低损耗的开关操作。此外,在LED照明系统中,该MOSFET可用于调光控制和电流调节,提升能效并延长LED寿命。
2SK1336, 2SK1178, IRFBC40, IRF840