时间：2025/8/9 10:13:10
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2SK897-MR 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的沟槽式工艺，具备较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于需要高效能和紧凑设计的电子设备。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电压（Vds）：100V
最大漏极电流（Id）：10A
最大栅极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：0.35Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C至+175°C
2SK897-MR MOSFET具有低导通电阻，可减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。
它具备快速的开关速度，有助于降低开关损耗，适用于高频应用。
该器件采用小型封装，节省电路板空间，适用于紧凑型设计。
其高栅极绝缘性能确保了稳定的工作状态，适用于各种恶劣环境条件。
此外，2SK897-MR具有良好的热稳定性，能够在高温度环境下可靠运行。
2SK897-MR常用于电源管理设备，如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和电池充电器。
在电机控制和驱动电路中，它用于实现高效的功率开关功能。
还可应用于逆变器、UPS（不间断电源）和工业自动化设备中。
由于其小尺寸和高效能，该MOSFET也适用于便携式电子设备和汽车电子系统。
2SK1118, 2SK2545, IRFZ44N
