2SK722 时间：2025/8/18 19:29:16 阅读：36

2SK722是一种N沟道结型场效应晶体管（JFET），主要用于低噪声前置放大器和高频放大电路中。该器件具有良好的高频特性和低噪声系数，适用于音频、射频和模拟信号处理等应用。由于其优异的性能，2SK722常被用于高保真音频放大器、射频接收器前端以及需要低噪声和高稳定性的电路中。

参数

类型：N沟道JFET
　　最大漏极电流（ID）：10mA
　　最大漏极-源极电压（VDS）：30V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：-30V
　　耗散功率（PD）：300mW
　　输入电容（Ciss）：6pF（典型值）
　　截止频率（fT）：100MHz（最小值）
　　噪声系数（NF）：0.1dB（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

2SK722具有多项优异的电气特性。首先，它具有低噪声系数，适用于对噪声要求较高的前置放大器设计。其次，该器件的输入电容较小，有助于在高频应用中减少信号失真和干扰。此外，2SK722的截止频率较高，能够在射频和音频范围内提供良好的增益稳定性。该器件还具有良好的线性度，适用于模拟信号放大和处理。在制造工艺上，2SK722采用了高质量的硅材料，确保了器件的可靠性和长期稳定性。其封装形式通常为TO-92或SOT-23，便于在各种电路板上安装和使用。
　　在使用过程中，2SK722的栅极电压需保持负值，以确保器件处于正确的偏置状态。漏极电流可以通过外部电路进行调节，以适应不同的应用需求。同时，由于其低功耗特性，2SK722在电池供电设备中也具有良好的应用前景。

应用

2SK722广泛应用于低噪声前置放大器、音频放大器、射频接收器前端电路以及高保真音响设备。在射频电路中，它可以作为小信号放大器使用，提供良好的增益和噪声性能。此外，2SK722还适用于模拟信号处理电路、混频器、振荡器以及各类传感器信号放大器。由于其优异的高频响应，该器件也常见于无线通信系统中的射频模块设计。