型号：2SK715
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：50mA（@ Vds=10V）
　　脉冲漏极电流（Idm）：200mA
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值6.5Ω（@ Vgs=10V）
　　阈值电压（Vth）：最小值1.0V，最大值2.5V（@ Id=1mA）
　　输入电容（Ciss）：约38pF（@ Vds=10V）
　　输出电容（Coss）：约10pF
　　反向传输电容（Crss）：约3pF
　　功耗（Pd）：200mW（@ Ta=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-323（SC-89）

2SK715具有多项优异的电气与物理特性，使其在小信号MOSFET领域中表现突出。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在导通状态下能量损耗极小，这对于需要长时间运行且注重能效的便携式设备尤为重要。例如，在移动设备的背光驱动或电源切换电路中，低Rds(on)意味着更少的发热和更高的转换效率。
　　其次，该器件具备较低的栅极电荷（Qg），这直接降低了开关过程中的驱动功耗，使得它非常适合用于高频开关电源（如升压/降压转换器）中作为同步整流或负载开关使用。低Qg还能减少开关延迟时间，提高系统的动态响应速度。
　　再者，2SK715的阈值电压适中，通常在1.0V至2.5V之间，这意味着它可以兼容多种逻辑电平控制信号，包括3.3V或更低电压的微控制器输出，无需额外的电平转换电路即可实现有效驱动。
　　此外，该MOSFET具有良好的温度稳定性，即使在高温环境下也能保持稳定的电气性能，避免因温度上升导致的性能下降或失效风险。其SOT-323小型表面贴装封装不仅节省PCB空间，还便于自动化生产装配，适用于大批量制造的应用场景。
　　最后，尽管2SK715的额定电流相对较小（50mA连续电流），但其脉冲电流能力可达200mA，适合短时高电流需求的应用，比如LED闪光灯驱动或传感器供电控制。综合来看，2SK715是一款兼顾性能、尺寸与可靠性的高性能小信号MOSFET，适用于现代电子系统中对空间和效率要求严苛的设计。

2SK715主要应用于需要小型化、低功耗和高效开关控制的电子设备中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池供电切换电路。在这些系统中，2SK715可用于控制不同功能模块的上电时序或实现休眠模式下的电源切断，从而延长电池续航时间。
　　另一个重要应用是在DC-DC转换器中作为同步整流开关或高端/低端开关元件，特别是在低功率、高频率工作的升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构中。由于其快速的开关特性和低导通电阻，能够显著提升电源转换效率，减少热量积聚。
　　此外，该器件也常用于LED驱动电路，尤其是背光照明或状态指示灯的开关控制。通过微控制器GPIO直接驱动2SK715，可以精确控制LED的亮灭或调光操作，而无需复杂的驱动电路。
　　在通信设备和传感器接口电路中，2SK715可用于信号路径的选择或负载开关，实现对外部模块的供电使能控制，防止未使用模块消耗待机功耗。
　　同时，由于其良好的高频响应特性，也可用于射频（RF）开关或模拟开关电路中，作为低失真信号通断元件。总之，2SK715凭借其紧凑的封装和优良的电气性能，广泛服务于各类低电压、小电流、高效率的开关应用场景。

2SK1762
　　2SK2413
　　BSS138