型号：2SK613-4
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：400V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：1.5A
　　脉冲漏极电流（IDM）：6A
　　功耗（PD）：50W
　　导通电阻（RDS(on)）：≤3.5Ω（典型值）
　　阈值电压（VGS(th)）：2~4V
　　输入电容（Ciss）：300pF（@VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：100pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间（trr）：无体二极管或极快
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

2SK613-4具备优异的电气特性和热稳定性，其核心优势在于高耐压与适中的导通电阻之间的良好平衡。该MOSFET的漏源击穿电压高达400V，使其能够安全地应用于AC-DC整流后的母线电压环境中，例如在通用开关电源（SMPS）中作为主开关管使用。在实际操作中，即使面对输入电压波动或瞬态浪涌，器件也能维持可靠运行而不发生击穿。同时，其导通电阻RDS(on)控制在3.5Ω以内，在同类400V等级MOSFET中处于合理水平，有助于降低导通期间的功率损耗，提升整体能效。
　　该器件的栅极电荷（Qg）较低，意味着在高频开关应用中所需的驱动能量较少，从而减轻了驱动电路的设计负担，并提高了系统的动态响应速度。结合较小的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），2SK613-4在PWM调制下表现出快速的开通和关断能力，减少了开关过程中的交越损耗。这对于提高电源转换效率、减小散热需求至关重要。
　　2SK613-4还具备较强的抗雪崩能力和耐用性。其内部结构经过优化，能够在非钳位感性负载开关过程中承受一定的能量冲击，避免因电压尖峰导致永久性损坏。这种鲁棒性增强了其在电机驱动、继电器驱动等存在反电动势场景下的适用性。此外，TO-220封装提供了良好的热传导路径，允许通过外接散热片有效散出工作时产生的热量，进一步提升长期工作的可靠性。
　　该MOSFET对静电放电（ESD）有一定的防护能力，但仍建议在装配和测试过程中采取防静电措施以确保器件完整性。总体而言，2SK613-4以其稳定的性能、成熟的技术和广泛的兼容性，成为中小功率电力电子设计中的经典选择之一。

2SK613-4主要应用于各类中等功率的开关电源系统中，包括但不限于通用AC-DC适配器、充电器、LED驱动电源以及小型逆变器。在这些应用中，它常被用作初级侧的开关元件，在PWM控制器的驱动下进行高频斩波，实现高效的能量传递与电压变换。由于其400V的耐压等级，适用于整流后约300–350V DC的母线电压平台，常见于85–265V AC输入的宽电压范围电源设计。
　　在DC-DC转换器拓扑中，如升压（Boost）、反激式（Flyback）或正激式（Forward）电路中，2SK613-4可作为主开关管承担能量存储与释放的关键角色。其快速开关特性有助于减小磁性元件体积，提升功率密度。此外，在小型太阳能微逆变器或UPS不间断电源系统中，该器件可用于直流侧的斩波或逆变桥臂的低端开关，实现电能形态的灵活转换。
　　工业控制领域也是2SK613-4的重要应用场景。例如，在电磁阀、继电器或小型直流电机的驱动电路中，该MOSFET可作为功率开关，接收来自MCU或逻辑门的控制信号，实现负载的通断控制。其高输入阻抗特性使得可以直接由光耦隔离后的小电流信号驱动，简化了隔离驱动电路的设计。
　　此外，2SK613-4也适用于电子镇流器、荧光灯或HID灯电源模块中，用于构建高频振荡电路，替代传统的双极晶体管，从而提高发光效率并减少电磁干扰。由于其具备较好的温度稳定性和长期运行可靠性，也被用于一些环境较为恶劣的工业设备中。总之，凡是需要400V耐压、1–2A电流切换能力且追求高效率与高可靠性的场合，2SK613-4都是一个值得考虑的器件选项。

2SK613, 2SK1079, 2SK1177, BUZ60, IRFBC30