2SK602 时间：2025/12/26 20:56:29 阅读：22

2SK602是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET晶体管，主要用于开关电源、DC-DC转换器以及其他需要高效功率控制的电子设备中。该器件采用高可靠性的小型封装，适合高密度安装，广泛应用于工业控制、消费类电子产品以及通信设备等领域。2SK602以其低导通电阻、快速开关响应和良好的热稳定性著称，能够在较高的电压和电流条件下稳定工作。该MOSFET设计用于在高频环境下运行，因此特别适用于现代开关电源拓扑结构，如反激式、正激式和半桥式转换器等。其制造工艺采用了先进的沟槽栅极技术，提高了载流子迁移效率，从而降低了导通损耗，提升了整体能效。此外，2SK602具备良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护特性，增强了在恶劣工作环境下的耐用性。由于其优异的电气性能和封装紧凑性，2SK602成为许多中低功率电源系统中的理想选择。

参数

型号：2SK602
　　极性：N沟道
　　漏源电压VDS：600 V
　　栅源电压VGS：±30 V
　　连续漏极电流ID：1.0 A
　　脉冲漏极电流IDM：4.0 A
　　功耗PD：25 W
　　导通电阻RDS(on)：max 7.5 Ω (VGS = 10 V)
　　开启阈值电压VGS(th)：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容Ciss：典型值 35 pF
　　输出电容Coss：典型值 15 pF
　　反向恢复时间trr：典型值 30 ns
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SIP-7 或类似小型化直插式封装

特性

2SK602的核心特性之一是其高达600V的漏源击穿电压，使其能够承受高压环境下的瞬态冲击，适用于离线式开关电源的设计。该器件在VGS=10V时，RDS(on)最大仅为7.5Ω，这一较低的导通电阻显著减少了导通状态下的功率损耗，从而提高系统的整体效率，并降低对散热设计的要求。其连续漏极电流为1.0A，脉冲电流可达4.0A，表明其具备一定的过载能力，适用于短时高峰值电流的应用场景。
　　该MOSFET采用了优化的硅芯片结构与沟槽栅极技术，不仅提升了单位面积的电流承载能力，还有效降低了米勒电容效应，从而减少开关过程中的寄生振荡和能量损耗。其输入电容Ciss典型值为35pF，输出电容Coss为15pF，这些低电容特性有助于实现更快的开关速度，适用于工作频率较高的电源变换器，通常可支持数百kHz甚至接近1MHz的开关频率。
　　2SK602具备良好的热性能，结温最高可达+150°C，同时拥有较宽的工作温度范围（-55°C至+150°C），确保在极端环境温度下仍能可靠运行。其开启阈值电压在2.0V到4.0V之间，兼容常见的驱动电路逻辑电平，便于与PWM控制器直接接口。此外，该器件具有较强的抗雪崩能力，能够在电感负载突然断开或发生电压反冲时保持安全工作，避免因过压而损坏。内置的体二极管也具备较快的反向恢复时间（trr约30ns），有助于减少反向恢复损耗，提升系统效率，尤其在连续导通模式下表现优异。

应用

2SK602广泛应用于各类中小功率开关电源系统中，例如适配器、充电器、LED驱动电源以及家用电器的内置电源模块。其高耐压特性和良好的开关性能使其成为离线式反激转换器中的常用主开关器件，尤其是在输入电压为AC 85V~265V、输出功率在10W至50W范围内的应用中表现出色。此外，该器件也常用于DC-DC升压或降压变换器中，作为主控开关元件，配合控制器IC实现稳定的电压调节功能。
　　在工业自动化领域，2SK602可用于继电器驱动、电机控制电路中的功率切换环节，或作为隔离式电源的次级侧同步整流开关。其小型化的SIP-7封装便于手工焊接和维修，适合中小批量生产及原型开发使用。在通信设备中，该MOSFET可用于板载辅助电源的设计，为系统提供稳定的低压供电。由于其具备良好的EMI性能和低噪声开关特性，2SK602也被应用于对电磁兼容性要求较高的精密仪器仪表中。
　　此外，在UPS不间断电源、电子镇流器以及光伏微逆变器等新能源相关产品中，2SK602同样可以发挥其高效、可靠的开关作用。其耐高温能力和长期稳定性也使其适用于需长时间连续运行的嵌入式系统。总的来说，凡是需要一个耐高压、低功耗、小体积N沟道MOSFET的场合，2SK602都是一个值得考虑的选项。