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2SK596S-B 发布时间 时间:2025/7/16 8:48:10 查看 阅读:10

2SK596S-B是一种N沟道功率MOSFET晶体管,广泛应用于高频放大器、开关电源、音频功放等电路中。该器件采用双极性晶体管技术制造,具有较低的导通电阻和较高的增益特性,适用于需要高效率和高性能的电子电路设计。
  该型号是2SK596系列的一个变种,后缀“-B”通常表示改进型或特定筛选版本,可能在电气性能或封装方面有所优化。

参数

最大漏源电压:120V
  最大栅源电压:±20V
  最大漏极电流:4A
  最大耗散功率:30W
  导通电阻:1.5Ω
  增益(hFE):300-800
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

2SK596S-B的主要特性包括:
  1. 高增益性能,适合用于低噪声和高效率的放大器设计。
  2. 低导通电阻,减少功率损耗并提高整体系统效率。
  3. 宽温度范围适应性,使其能够在恶劣环境中稳定运行。
  4. 快速开关速度,适合高频应用。
  5. 良好的热稳定性,保证长时间工作的可靠性。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足现代电子产品的合规性要求。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 音频功放电路中的驱动级和输出级放大。
  2. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  3. 直流电机控制和驱动。
  4. 高频射频各类工业控制设备中的功率管理模块。
  6. 电池充电器和逆变器中的关键功率转换组件。

替代型号

2SK596, 2SK596S, 2SK2104

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2SK596S-B参数

  • 标准包装500
  • 类别未定义的类别
  • 家庭未定义的系列
  • 系列*