2SK58 时间：2025/8/18 17:05:19 阅读：28

2SK58是一种N沟道增强型功率MOSFET，常用于高频率开关应用。该器件由东芝公司生产，具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适用于DC-DC转换器、电源管理和电机控制等电路。2SK58采用TO-220封装，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：30V
　　连续漏极电流（Id）：1A
　　功耗（Pd）：25W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值2.0Ω
　　栅极电荷（Qg）：10nC
　　漏源击穿电压（BVDSS）：500V

特性

2SK58是一款高性能的功率MOSFET，具有多项优良特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）最大为2.0Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件的漏源耐压（Vds）高达500V，适用于中高压应用场合。此外，2SK58的栅极电荷（Qg）为10nC，使得其在高频开关应用中具有较快的开关速度，从而减少开关损耗。
　　该MOSFET采用TO-220封装，具有良好的散热性能，能够在较高功率下稳定工作。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适应各种恶劣工作环境。此外，2SK58的结构设计使其具有较高的短路耐受能力，提高了器件的可靠性。
　　由于其优异的电气性能和稳定的封装设计，2SK58广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种开关电源电路中。

应用

2SK58主要应用于中高压功率电子设备中。其典型应用包括DC-DC升压/降压转换器、开关电源（SMPS）、逆变器、电机驱动器以及电池管理系统。由于其较高的漏源耐压（500V）和较低的导通电阻，该器件特别适合用于需要高效能和高稳定性的电源转换系统。
　　此外，2SK58还可用于各种工业控制电路、LED驱动电源、不间断电源（UPS）系统以及光伏逆变系统中。在这些应用中，2SK58能够提供稳定的开关性能，并有效降低系统损耗，提高整体效率。