时间：2025/6/17 0:13:27
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SI4814DY-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小型化的封装设计，能够提供高效的开关性能和低导通电阻特性。其主要应用领域包括电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及各种消费类电子产品中的功率控制电路。
SI4814DY-T1-E3 的核心优势在于它的低导通电阻（Rds(on)）和优化的栅极电荷（Qg），这使得它在高频开关应用中表现出色，并能有效降低功耗。
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：DFN2020-6 (SC-75)
Vds（漏源极击穿电压）：30V
Rds(on)（最大导通电阻）：9.5mΩ
Id（连续漏极电流）：4.1A
Qg（总栅极电荷）：7nC
Vgs(th)（栅源开启电压）：1.2V
f（工作频率）：支持高频开关
工作温度范围：-55°C 至 150°C
SI4814DY-T1-E3 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）确保了更高的效率和更低的热损耗。
2. 小型化 DFN2020-6 封装节省了 PCB 空间，非常适合空间受限的应用。
3. 支持宽范围的工作电压（最高 30V），适合多种低压场景。
4. 超低栅极电荷（Qg）使其成为高频开关应用的理想选择。
5. 工作温度范围广，能够适应严苛的环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
这款 MOSFET 广泛应用于需要高效功率控制的领域，具体包括：
1. 手机和平板电脑等便携式设备中的负载开关。
2. DC-DC 转换器和降压/升压转换模块。
3. 电池管理系统（BMS），用于保护和监控电池状态。
4. 消费电子产品的电源管理单元。
5. 小型电机驱动和风扇控制。
6. 各种工业控制和通信设备中的功率级开关。
SI4813DY, SI4815DY
