2SK55E是一款N沟道结型场效应晶体管(JFET),主要用于低噪声前置放大电路。它具有高跨导、低噪声系数和良好的高频特性,广泛应用于音频放大器、射频放大器以及各类低噪声放大电路中。这款晶体管采用TO-92封装形式,适合通孔插装(Through-Hole)安装,具备良好的稳定性和可靠性。
类型:N沟道JFET
封装类型:TO-92
最大漏极电流(ID):10mA
最大漏源电压(VDS):30V
最大栅源电压(VGS):-30V
跨导(gm):4000μS(典型值)
噪声系数(NF):0.3dB(典型值)
工作温度范围:-55°C至+150°C
耗散功率(PD):300mW
2SK55E具有低噪声特性,使其非常适合用于前置放大器和高保真音频设备中。其高跨导(gm)确保了良好的信号放大能力,同时在高频工作条件下保持稳定性能。
此外,该器件具备良好的线性度和温度稳定性,能够在较宽的温度范围内保持一致的工作特性。其TO-92封装形式便于安装和散热,适用于多种通用电子电路设计。
由于其低噪声系数和高输入阻抗,2SK55E在射频前端和模拟信号处理领域也有广泛应用。同时,该器件的功耗较低,适合电池供电设备使用。
2SK55E主要用于需要低噪声放大的电路中,例如麦克风前置放大器、音频前置放大器、射频信号放大器、测量仪器和高保真音响设备。此外,它还可用于模拟开关、电压控制电路和低频放大器设计中。
在实际应用中,该器件常被用于替代双极型晶体管(BJT)以降低噪声并提高输入阻抗。它也常用于吉他效果器和音频接口设备中,以提供高质量的信号放大和处理能力。
2SK117, 2SK30, 2SK55-Y, 2SK55BL, J201