2SK55E 时间：2025/9/7 3:42:20 阅读：34

2SK55E是一款N沟道结型场效应晶体管（JFET），主要用于低噪声前置放大电路。它具有高跨导、低噪声系数和良好的高频特性，广泛应用于音频放大器、射频放大器以及各类低噪声放大电路中。这款晶体管采用TO-92封装形式，适合通孔插装（Through-Hole）安装，具备良好的稳定性和可靠性。

参数

类型：N沟道JFET
　　封装类型：TO-92
　　最大漏极电流（ID）：10mA
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：-30V
　　跨导（gm）：4000μS（典型值）
　　噪声系数（NF）：0.3dB（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　耗散功率（PD）：300mW

特性

2SK55E具有低噪声特性，使其非常适合用于前置放大器和高保真音频设备中。其高跨导（gm）确保了良好的信号放大能力，同时在高频工作条件下保持稳定性能。
　　此外，该器件具备良好的线性度和温度稳定性，能够在较宽的温度范围内保持一致的工作特性。其TO-92封装形式便于安装和散热，适用于多种通用电子电路设计。
　　由于其低噪声系数和高输入阻抗，2SK55E在射频前端和模拟信号处理领域也有广泛应用。同时，该器件的功耗较低，适合电池供电设备使用。

应用

2SK55E主要用于需要低噪声放大的电路中，例如麦克风前置放大器、音频前置放大器、射频信号放大器、测量仪器和高保真音响设备。此外，它还可用于模拟开关、电压控制电路和低频放大器设计中。
　　在实际应用中，该器件常被用于替代双极型晶体管（BJT）以降低噪声并提高输入阻抗。它也常用于吉他效果器和音频接口设备中，以提供高质量的信号放大和处理能力。