型号：2SK536
　　极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：500V
　　连续漏极电流（Id）：7A
　　脉冲漏极电流（Idm）：28A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值1.8Ω（最大2.3Ω）
　　阈值电压（Vth）：2.0V～4.0V
　　输入电容（Ciss）：约600pF（Vds=25V, Vgs=0V）
　　输出电容（Coss）：约150pF
　　反向恢复时间（trr）：无（属于MOSFET，无体二极管快速恢复特性）
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　封装形式：TO-220 / TO-220FP

2SK536具备多项关键特性，使其在中高压功率应用中表现卓越。首先，其高达500V的漏源击穿电压（Vds）允许其在高电压环境下安全运行，适用于多种离线式开关电源设计，如AC-DC适配器、LED驱动电源等。其次，该器件的导通电阻较低，典型值为1.8Ω，在7A的连续漏极电流下能够有效降低导通损耗，提高系统整体效率。这对于追求节能与小型化的现代电子设备尤为重要。
　　另一个显著特点是其快速的开关响应能力。得益于较小的栅极电荷（Qg）和输入/输出电容，2SK536能够在高频条件下实现快速开启与关断，减少开关过程中的能量损耗，从而提升电源系统的转换效率。同时，该MOSFET具有较宽的栅源电压范围（±30V），增强了对驱动电路的兼容性，并提供了一定程度的过压保护能力。
　　热稳定性方面，2SK536采用TO-220封装，具备良好的散热性能，能够在高温环境中长时间稳定工作。其最大结温可达150℃，结合适当的散热措施，可支持持续大电流操作。此外，该器件还内置了较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下维持一定的耐受力，提升系统可靠性。
　　从制造工艺来看，2SK536基于成熟的平面型MOSFET技术，具有较高的良率和一致性，保证了产品批次间的稳定性。尽管相比最新的沟槽型或超级结MOSFET在导通电阻和开关速度上略有不足，但其成本优势和长期供货保障使其在许多中端应用中仍然具有竞争力。

2SK536广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适用于中等功率级别的开关模式电源（SMPS）。在AC-DC转换器中，它常被用作主开关管，配合PWM控制器实现高效的能量转换，常见于电视机、显示器、打印机等家用电器的电源模块。此外，在DC-DC升压或降压变换器中，2SK536也可作为功率开关元件，用于调节输出电压，满足不同负载的需求。
　　在照明领域，特别是大功率LED驱动电源中，2SK536凭借其高耐压和良好效率表现，被用于构建恒流源电路，确保LED灯珠稳定发光并延长使用寿命。同时，由于其具备较强的抗干扰能力和温度稳定性，也适用于工业环境下的电机驱动电路，例如小型直流电机或步进电机的控制开关，实现启停与调速功能。
　　另外，2SK536还可用于逆变器电路中，将直流电转换为交流电，应用于不间断电源（UPS）、太阳能发电系统或便携式电源设备。在这些场景下，多个2SK536可以并联使用以增加输出功率，或组成半桥/全桥拓扑结构进行高频切换。
　　值得一提的是，由于该器件在市场上已有较长的应用历史，相关的设计资料、参考电路和维修案例丰富，使得工程师在开发新产品或维护旧设备时能够快速上手，降低了研发难度和生产风险。因此，即使面对更新一代的MOSFET产品，2SK536仍在许多对成本敏感且性能要求适中的应用中保持着不可替代的地位。

2SK1058
　　2SK1532
　　K2544
　　2SK2993