时间：2025/8/18 19:47:16
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2SK536-TB 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统中。该器件具有低导通电阻、高开关速度以及良好的热稳定性，适用于DC-DC转换器、电源管理模块、负载开关、电池供电设备等应用场景。2SK536-TB 采用SOT-23（小外形晶体管）封装，适合表面贴装工艺，具有较高的集成度和较小的PCB占用空间。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：20V
最大连续漏极电流（ID）：100mA
最大功耗（PD）：200mW
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：SOT-23
2SK536-TB MOSFET具有多项优良的电气和物理特性，首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在导通状态下最小的能量损耗，从而提高了系统的整体效率。
其次，该器件的高开关速度使其适用于高频开关应用，能够有效减小外围电路的体积并提升响应速度。
此外，2SK536-TB具有良好的热稳定性，在高温环境下依然能够保持稳定的工作性能，适合在苛刻的工业环境中使用。
该MOSFET采用SOT-23封装，具有较高的机械强度和良好的散热性能，便于自动化生产和表面贴装工艺。
2SK536-TB的栅极驱动电压范围较宽，通常在2.5V至10V之间即可实现完全导通，适用于多种驱动电路设计。
其低漏电流（IDSS）和低栅极漏电流（IGSS）特性有助于减少待机功耗，提高系统能效。
同时，该器件具备良好的抗静电能力，增强了在实际应用中的可靠性。
2SK536-TB广泛应用于各类电子设备中，特别是在对效率和空间要求较高的场合。典型应用包括便携式电子产品中的电源管理电路、小型DC-DC升压或降压转换器、LED驱动电路、低功耗开关电路、传感器信号调理模块、电池管理系统中的负载开关控制等。
由于其封装小巧且性能稳定，2SK536-TB也常用于工业控制设备、通信模块、智能家居设备、物联网（IoT）节点等对尺寸和功耗有严格要求的应用场景。
此外，该器件还可用于电机驱动电路、继电器驱动电路以及逻辑电平转换电路中，作为高效、可靠的电子开关元件。
2SK536-TB的替代型号包括2SK536-Y（Toshiba）、2SK536-TA（Toshiba）、2N7000（Fairchild/On Semi）、BS170（Philips/NXP）、2SK302（Toshiba）等。这些型号在电气特性和封装上与2SK536-TB相近，但在具体应用时需根据电路设计和参数要求进行验证。
