类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：500V
　　最大漏极电流(Id)：8A
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　导通电阻(Rds(on))：0.85Ω（最大）
　　功率耗散(Pd)：75W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

2SK494E具有多项优秀的电气和热性能特性，能够满足多种高要求的应用场景。
　　首先，其最大漏源电压为500V，表明该器件能够承受较高的电压应力，适用于高电压工作环境，如电源转换器和工业控制系统。
　　其次，2SK494E的最大漏极电流可达8A，这使其能够处理较大的负载电流，适合用于功率放大和电机驱动等应用。
　　此外，该器件的导通电阻Rds(on)最大为0.85Ω，较低的导通电阻意味着在导通状态下功耗更小，效率更高，同时减少了发热问题，提高了系统的稳定性。
　　栅源电压的最大值为±30V，提供了良好的栅极保护，防止因过高的栅极电压导致器件损坏。
　　其功率耗散能力为75W，表明2SK494E可以在相对较高的功率条件下工作，适用于高功率密度的设计。
　　最后，2SK494E的工作温度范围从-55°C到+150°C，具备良好的温度适应性和可靠性，适合在各种恶劣环境下使用。

2SK494E的应用领域广泛，涵盖了多个电子系统设计。
　　在电源管理系统中，2SK494E常用于开关电源（SMPS）中的功率开关，因其高电压和大电流能力，可实现高效的能量转换。
　　在电机控制方面，该MOSFET可用于驱动直流电机、步进电机或伺服电机，提供稳定可靠的功率输出。
　　此外，2SK494E也适用于逆变器和变频器设计，常用于太阳能逆变器或UPS（不间断电源）系统中，用于电能的转换与调节。
　　音频功率放大器是另一个典型应用，2SK494E可以作为输出级的开关元件，提供高保真音频信号放大。
　　在工业自动化设备中，该器件也可用于控制继电器、电磁阀和其他执行机构，实现快速和可靠的开关控制。
　　由于其高可靠性和宽温度范围，2SK494E还常用于汽车电子系统、家用电器和电动工具等领域。

2SK1318, 2SK2545, 2SK1172