类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极电流（ID）：15A
　　漏源电压（VDS）：900V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.85Ω（典型值）
　　功耗（PD）：75W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220（或其他等效大功率封装）

2SK494CTZ具有多项优异的电气和热性能，适用于高电压和高频率的应用场景。首先，其高达900V的漏源电压（VDS）使其能够用于高压电源系统，如AC/DC转换器和高压LED驱动器。其次，低导通电阻（Rds(on)）减少了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体效率并降低了散热需求。
　　此外，该MOSFET具备快速开关能力，适用于高频开关操作，有助于减小外围元件的尺寸，如电感和变压器。其±30V的栅极耐压能力增强了器件在高噪声环境下的可靠性，降低了栅极击穿的风险。
　　在热性能方面，该器件采用了高效的散热封装设计，能够在高功率下保持较低的工作温度，从而延长使用寿命并提高系统稳定性。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）也增强了其在各种环境条件下的适用性。

2SK494CTZ广泛应用于多种功率电子设备中，包括但不限于开关电源（SMPS）、AC/DC和DC/DC转换器、高压LED照明驱动电路、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高压能力和高效率特性，它也常用于家电产品如微波炉、电饭煲等的电源系统中。
　　在电源管理领域，该器件能够作为主开关使用于反激式和正激式变换器中，提供高效的能量转换。在LED照明应用中，它可以作为恒流驱动的开关元件，实现稳定而高效的光源控制。此外，在电机控制方面，该MOSFET可用于实现PWM调速控制，提供快速响应和稳定的输出性能。

2SK494CTZ的替代型号包括2SK2852、2SK1530、IRF840、IRF830等，这些型号在某些应用中可互换使用，但需根据具体电路要求进行验证。