2SK429-L 时间：2025/9/7 11:30:42 阅读：7

2SK429-L 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频开关应用。该MOSFET以其良好的导通特性和开关性能广泛用于DC-DC转换器、电源管理模块、逆变器和电机驱动电路中。其封装形式为TO-220AB，便于散热并适用于标准的PCB安装。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：9A（连续）
　　功耗（Pd）：40W
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.65Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220AB

特性

2SK429-L具有优异的导通性能和高频开关能力，适用于多种高效率电源应用。其低导通电阻可以有效降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的耐压能力，漏源电压达到500V，使其适用于中高功率电源转换器。该MOSFET的封装形式为TO-220AB，具备良好的散热性能，能够满足高功率密度设计的需求。
　　在结构设计上，2SK429-L采用了先进的沟槽式栅极技术，提高了栅极控制能力和载流子迁移效率，从而优化了开关速度和导通压降。同时，该器件具备较高的短路耐受能力，增强了其在实际应用中的稳定性与可靠性。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持+10V至+20V之间的驱动电压，便于与多种驱动电路兼容。其栅源击穿电压为±30V，确保在异常工作条件下仍能保持稳定运行。此外，2SK429-L具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能维持正常工作，适应各种苛刻的工业环境。

应用

2SK429-L广泛应用于各类开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动器、逆变器、电机控制器以及家用电器中的功率控制电路。其高耐压、低导通电阻和良好的散热性能，使其在需要高效能和高可靠性的电源系统中表现出色。此外，该MOSFET也适用于工业自动化设备、电池管理系统和不间断电源（UPS）系统等应用场景。