时间：2025/9/21 11:40:04
阅读：11
2SK4100LS是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET，专为高频开关应用设计，广泛应用于电源转换、DC-DC变换器、电机驱动以及各类开关电源系统中。该器件采用先进的平面硅栅极工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等优点。2SK4100LS封装形式为SOP-8（表面贴装），适合自动化贴片生产，节省PCB空间，适用于紧凑型高密度电子设备。其额定电压为30V，最大连续漏极电流可达19A，具备较高的功率处理能力，同时保持较低的导通损耗。该MOSFET在设计上优化了米勒电容与栅极电荷特性，有助于减少开关过程中的能量损耗，提升整体系统效率。此外，器件内部集成了快速体二极管，可有效应对反向电流，在感性负载切换时提供保护作用。2SK4100LS符合RoHS环保标准，并通过了多项可靠性测试，确保在工业级工作温度范围内稳定运行。由于其优异的电气性能和封装优势，该型号常用于笔记本电脑适配器、便携式电子设备电源模块、LED驱动电路及电池管理系统中。
型号：2SK4100LS
制造商：Toshiba
晶体管类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：19A（@Tc=25℃）
脉冲漏极电流（Idm）：76A
导通电阻（Rds(on)）：4.3mΩ（@Vgs=10V, Id=10A）
阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
输入电容（Ciss）：2020pF（@Vds=15V）
输出电容（Coss）：690pF（@Vds=15V）
反向传输电容（Crss）：100pF（@Vds=15V）
总栅极电荷（Qg）：34nC（@Vgs=10V, Id=19A）
开启延迟时间（td(on)）：10ns
关断延迟时间（td(off)）：28ns
工作结温范围：-55℃ ~ +150℃
封装类型：SOP-8
安装方式：表面贴装（SMD）
功耗（Pd）：50W（@Tc=25℃）
2SK4100LS具备卓越的电气特性和结构设计，使其在同类N沟道MOSFET中表现出色。首先，其极低的导通电阻Rds(on)仅为4.3mΩ（在Vgs=10V条件下），显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了电源系统的整体能效，特别适用于大电流、低电压的应用场景，如3.3V或5V供电系统中的同步整流。其次，该器件采用了优化的硅基工艺与封装技术，实现了较小的寄生参数，包括低栅极电荷（Qg=34nC）和低米勒电容（Crss=100pF），从而有效减少了开关过程中的驱动损耗和电压振荡，提高了开关频率上限，适用于高频DC-DC转换器。
此外，2SK4100LS具有良好的热性能，其SOP-8封装虽为小型化设计，但仍能通过PCB散热焊盘实现有效热传导，结合50W的最大功耗能力，可在较高环境温度下稳定运行。器件的阈值电压范围为1.0V至2.5V，支持逻辑电平驱动，兼容3.3V或5V控制信号，简化了栅极驱动电路的设计。内置的体二极管具有快速恢复特性，能够在反向电流出现时迅速导通，防止电压尖峰损坏器件，增强系统可靠性。该MOSFET还具备优良的抗雪崩能力和静电放电（ESD）防护性能，进一步提升了在恶劣工作环境下的耐用性。整体而言，2SK4100LS在性能、尺寸和可靠性之间取得了良好平衡，是现代高效电源管理方案中的理想选择。
2SK4100LS主要应用于需要高效率、高开关频率和紧凑布局的电源管理系统中。典型应用场景包括：同步整流型DC-DC降压或升压转换器，特别是在多相VRM（电压调节模块）中作为下管或上管使用，能够显著降低导通损耗，提高转换效率；笔记本电脑、平板电脑和嵌入式系统的主板电源管理单元，用于核心电压、I/O电压的稳压供电；便携式设备的电池充电与放电控制电路，利用其低Rds(on)特性减少发热，延长续航时间；LED背光驱动电路中作为开关元件，实现精确的电流调节与调光控制；此外，还可用于电机驱动、H桥电路、电源逆变器以及各类消费类电子产品中的开关电源（SMPS）拓扑结构，如Buck、Boost、Buck-Boost等。其表面贴装封装也使其非常适合自动化大规模生产，广泛用于通信设备、工业控制模块和智能家电等领域。
TK0410CSL,SZ2SK4100LS,EUD2SK4100LS
