2SK4068 时间：2025/12/29 17:03:08 阅读：8

2SK4068是一种N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由东芝公司生产。该晶体管专为高功率、高频应用设计，具有低导通电阻和高速开关特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等多种功率电子系统。2SK4068采用先进的沟槽栅极工艺，提升了器件的导电效率并降低了开关损耗。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：30V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大漏极电流(ID)：12A（连续）
　　最大功耗(PD)：40W
　　导通电阻(RDS(on))：5.5mΩ（典型值）
　　栅极电荷(Qg)：18nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

2SK4068具备多项优良特性，首先其低导通电阻（RDS(on)）显著减少了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体系统的能效。其次，该器件的高开关速度使得它非常适合用于高频开关应用，例如同步整流器和DC-DC转换器。此外，2SK4068具有良好的热稳定性和耐久性，能够在较高温度下稳定工作，适用于要求苛刻的工业环境。
　　该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力，能够在过压或瞬态条件下提供额外的保护。其封装形式（TO-252）具有良好的散热性能，有助于快速散发工作时产生的热量，从而延长器件的使用寿命。最后，2SK4068的栅极驱动电压范围宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，便于集成到各种控制系统中。

应用

2SK4068广泛应用于多种功率电子设备中，如DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统、电机驱动器、电源分配系统、负载开关以及工业自动化设备。由于其低导通电阻和高电流能力，该MOSFET特别适合用于需要高效率和紧凑设计的电源系统。此外，在电动车、储能系统和太阳能逆变器等新能源应用中，2SK4068也常用于功率控制和能量转换环节。