2SK4064LS 时间：2025/9/20 23:14:15 阅读：33

2SK4064LS是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET，专为高频开关应用设计，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及其他需要高效率和快速开关特性的电子设备中。该器件采用先进的沟槽型硅栅极工艺制造，确保了低导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。2SK4064LS封装于小型表面贴装SOP型封装（如SOP-8），适合高密度PCB布局，有助于减小整体电源系统的体积。该MOSFET具有较高的栅极-源极电压耐受能力，增强了在复杂电磁环境下的可靠性。此外，器件内部结构优化降低了寄生电容和热阻，提升了整体功率处理能力和长期运行稳定性。2SK4064LS适用于工业控制、消费类电子产品以及通信电源系统等对效率和空间要求较高的场合。

参数

型号：2SK4064LS
　　极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：19A
　　脉冲漏极电流（Idm）：76A
　　导通电阻（Rds(on)）：5.3mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　栅极电荷（Qg）：33nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：2080pF（典型值，Vds=15V）
　　开启延迟时间（td(on)）：10ns
　　关断延迟时间（td(off)）：25ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOP-8（Power SO-8）

特性

2SK4064LS具备卓越的导通和开关特性，其低导通电阻（Rds(on)）仅为5.3mΩ，在高电流应用中显著降低导通损耗，提高系统整体效率。该器件采用东芝先进的U-MOS VI沟槽技术，通过优化沟道密度和栅极结构，实现更低的比导通电阻和更高的电流密度。这种设计不仅提升了功率密度，还有效减少了器件在持续工作状态下的温升问题。器件的栅极电荷（Qg）低至33nC，意味着驱动电路所需的能量更少，有利于简化驱动设计并降低驱动功耗，特别适合高频PWM控制场景。
　　该MOSFET具有出色的热稳定性和抗雪崩能力，内置的封装优化设计有效降低了热阻（Rth(j-c)），提高了散热效率，从而保障器件在高负载条件下的长期可靠性。其SOP-8 Power封装具备良好的焊接可靠性和机械强度，适用于自动化贴片生产流程。此外，2SK4064LS的栅源电压容限达±20V，使其在面对电压瞬变或噪声干扰时具备更强的鲁棒性，避免因栅极过压导致的器件损坏。
　　器件的输入和输出电容经过精确匹配，使得在高频开关过程中电压和电流的变化更加平滑，减少EMI辐射。同时，开启和关断延迟时间分别仅为10ns和25ns，表明其具备极快的响应速度，能够适应高达数百kHz甚至MHz级别的开关频率，满足现代高效电源对快速动态响应的需求。综合这些特性，2SK4064LS成为中小功率电源模块中理想的主开关或同步整流器件选择。

应用

2SK4064LS广泛应用于各类高效率开关电源系统，包括但不限于AC-DC适配器、笔记本电脑电源、LCD电视电源模块以及便携式充电设备。其低Rds(on)和高电流能力使其非常适合用作同步整流MOSFET，在反激、正激或LLC谐振转换器中显著提升转换效率。此外，该器件也常用于DC-DC降压（Buck）或升压（Boost）转换器中作为主开关管，尤其适用于负载电流较大且空间受限的应用场景。
　　在电池管理系统（BMS）、电动工具电源、LED驱动电源等领域，2SK4064LS凭借其高可靠性和紧凑封装，能够有效支持高功率密度设计。工业自动化设备中的电机驱动电路、传感器供电模块也常采用此类高性能MOSFET以确保稳定运行。由于其优良的热性能和抗干扰能力，该器件同样适用于通信基站电源、网络设备电源板等对长期稳定性要求严格的环境。总之，凡是对效率、尺寸和可靠性有较高要求的低电压大电流开关应用，2SK4064LS都是一个理想的选择。