2SK4064LS是一款由东芝(Toshiba)公司生产的N沟道功率MOSFET,专为高频开关应用设计,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及其他需要高效率和快速开关特性的电子设备中。该器件采用先进的沟槽型硅栅极工艺制造,确保了低导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。2SK4064LS封装于小型表面贴装SOP型封装(如SOP-8),适合高密度PCB布局,有助于减小整体电源系统的体积。该MOSFET具有较高的栅极-源极电压耐受能力,增强了在复杂电磁环境下的可靠性。此外,器件内部结构优化降低了寄生电容和热阻,提升了整体功率处理能力和长期运行稳定性。2SK4064LS适用于工业控制、消费类电子产品以及通信电源系统等对效率和空间要求较高的场合。
型号:2SK4064LS
极性:N沟道
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):19A
脉冲漏极电流(Idm):76A
导通电阻(Rds(on)):5.3mΩ(典型值,Vgs=10V)
栅极电荷(Qg):33nC(典型值)
输入电容(Ciss):2080pF(典型值,Vds=15V)
开启延迟时间(td(on)):10ns
关断延迟时间(td(off)):25ns
工作结温范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:SOP-8(Power SO-8)
2SK4064LS具备卓越的导通和开关特性,其低导通电阻(Rds(on))仅为5.3mΩ,在高电流应用中显著降低导通损耗,提高系统整体效率。该器件采用东芝先进的U-MOS VI沟槽技术,通过优化沟道密度和栅极结构,实现更低的比导通电阻和更高的电流密度。这种设计不仅提升了功率密度,还有效减少了器件在持续工作状态下的温升问题。器件的栅极电荷(Qg)低至33nC,意味着驱动电路所需的能量更少,有利于简化驱动设计并降低驱动功耗,特别适合高频PWM控制场景。
该MOSFET具有出色的热稳定性和抗雪崩能力,内置的封装优化设计有效降低了热阻(Rth(j-c)),提高了散热效率,从而保障器件在高负载条件下的长期可靠性。其SOP-8 Power封装具备良好的焊接可靠性和机械强度,适用于自动化贴片生产流程。此外,2SK4064LS的栅源电压容限达±20V,使其在面对电压瞬变或噪声干扰时具备更强的鲁棒性,避免因栅极过压导致的器件损坏。
器件的输入和输出电容经过精确匹配,使得在高频开关过程中电压和电流的变化更加平滑,减少EMI辐射。同时,开启和关断延迟时间分别仅为10ns和25ns,表明其具备极快的响应速度,能够适应高达数百kHz甚至MHz级别的开关频率,满足现代高效电源对快速动态响应的需求。综合这些特性,2SK4064LS成为中小功率电源模块中理想的主开关或同步整流器件选择。
2SK4064LS广泛应用于各类高效率开关电源系统,包括但不限于AC-DC适配器、笔记本电脑电源、LCD电视电源模块以及便携式充电设备。其低Rds(on)和高电流能力使其非常适合用作同步整流MOSFET,在反激、正激或LLC谐振转换器中显著提升转换效率。此外,该器件也常用于DC-DC降压(Buck)或升压(Boost)转换器中作为主开关管,尤其适用于负载电流较大且空间受限的应用场景。
在电池管理系统(BMS)、电动工具电源、LED驱动电源等领域,2SK4064LS凭借其高可靠性和紧凑封装,能够有效支持高功率密度设计。工业自动化设备中的电机驱动电路、传感器供电模块也常采用此类高性能MOSFET以确保稳定运行。由于其优良的热性能和抗干扰能力,该器件同样适用于通信基站电源、网络设备电源板等对长期稳定性要求严格的环境。总之,凡是对效率、尺寸和可靠性有较高要求的低电压大电流开关应用,2SK4064LS都是一个理想的选择。
TPSMB30A, SI4406ADY-T1-GE3, FDS6680A, AOZ5242PQI-02