时间：2025/7/9 3:06:53
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MA0201CG7R5B500 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，专为高频开关应用设计。该器件采用增强型 GaN HEMT 结构，具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于电源转换、无线充电、D类音频放大器以及其他需要高效能表现的应用场景。
这款芯片的主要特点是其高开关频率能力，能够显著减少磁性元件的体积和重量，从而优化整体系统设计。此外，由于其出色的热性能和高功率密度，MA0201CG7R5B500 在高功率密度需求的设计中表现出色。
额定电压：650V
导通电阻：40mΩ
最大漏极电流：8A
栅极驱动电压：4V~6V
开关频率：高达 5MHz
封装形式：TO-252
1. 超低导通电阻，确保高效率能量转换。
2. 高速开关能力，支持 MHz 级工作频率。
3. 内置静电保护（ESD）功能，提升器件可靠性。
4. 栅极驱动电压范围宽，兼容多种驱动电路。
5. 具有优秀的热稳定性，适合高温环境应用。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
1. 开关电源（Switching Power Supplies）
2. DC-DC 转换器
3. 无线充电发射端与接收端模块
4. D 类音频放大器
5. 激光驱动电路
6. 高频逆变器及 LED 驱动电路
MA0201CG7R5A400
GA1N160WS
PSMN0R9-60YLH
