类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：12A
　　最大漏源电压（VDS）：200V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.28Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220
　　最大功耗（PD）：50W

2SK4040-01具备多项优良特性，首先，其低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。其次，该器件的高漏源电压（200V）和较高的最大漏极电流（12A），使其适用于中高功率应用。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（±30V），增强了其在不同电路环境下的适用性。
　　该器件的封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，适合在需要高效散热的电路中使用。其高开关速度特性使其适用于高频开关电路，从而减小外部滤波元件的尺寸，提高系统整体的功率密度。
　　2SK4040-01还具有较高的热稳定性与耐用性，能够在较宽的温度范围内（-55°C 至 +150°C）稳定工作，适用于工业级和汽车电子等严苛环境下的应用。其高可靠性设计也使其在长期运行中表现出色，减少了因器件老化或过载导致的故障率。

2SK4040-01广泛应用于各类电源管理系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关和电机控制电路等。其高频特性使其适用于高频逆变器和UPS系统中的功率开关。此外，它也常用于工业自动化设备、电池管理系统以及电动工具的功率控制部分。由于其高耐压和良好的散热性能，该MOSFET也适用于汽车电子系统中的功率调节器和照明控制系统。

2SK4040-01的替代型号包括2SK2545、2SK1530和2SK1058等，这些型号在性能参数上相近，可根据具体应用需求进行选择。