类型：N沟道
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：20V
　　最大漏极电流(Id)：5.8A（连续）
　　导通电阻(Rds(on))：28mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻(Rds(on))：34mΩ @ Vgs=4.5V
　　功率耗散：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：8

LNZ9F30VST5G 的关键特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件在 Vgs=10V 和 Vgs=4.5V 下均能提供出色的 Rds(on)，使其适用于多种栅极驱动电压条件的应用场景。此外，该 MOSFET 具有较高的热稳定性和耐久性，能够承受较高的工作温度，适用于工业级环境。
　　该器件采用 TSOP 封装，尺寸紧凑，便于在高密度 PCB 设计中使用。LNZ9F30VST5G 还具有良好的开关特性，包括快速导通和关断能力，从而减少开关损耗，提高整体系统性能。其栅极设计具有较高的抗静电能力，确保在复杂电磁环境中稳定工作。
　　此外，该 MOSFET 支持较高的电流承载能力，在连续漏极电流方面可达到 5.8A，适用于中等功率的电源转换应用。其 30V 的漏源电压额定值使其适用于低压功率转换电路，如同步整流器、DC-DC 转换器和负载开关等。

LNZ9F30VST5G 主要用于电源管理系统，包括电池供电设备、DC-DC 转换器、负载开关、电源管理单元（PMU）以及工业控制电路。在同步整流电路中，该器件可以显著降低导通损耗，提高转换效率。在电池管理系统中，它可以作为高侧或低侧开关，实现高效的能量管理。由于其高可靠性和紧凑的封装形式，该 MOSFET 也适用于便携式电子产品、电源适配器和汽车电子系统等应用场景。

Si2302DS, FDS6680, AO4406A