类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：15A
　　功耗（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOP-8

2SK4008-01MR MOSFET具备多项优良特性，使其在各类功率电子设备中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）在4.5V栅极驱动电压下仅为约8.5mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件采用先进的沟槽式MOSFET结构，优化了电场分布，提升了器件的击穿电压稳定性和电流承载能力。
　　此外，2SK4008-01MR的栅极电荷（Qg）较低，约为16nC，使得开关速度更快，减少了开关损耗。这对于高频开关应用尤为重要。同时，其封装形式为SOP-8，具有良好的热性能和机械稳定性，适用于表面贴装工艺，简化了PCB设计并提高了装配效率。
　　该MOSFET还具备良好的热阻特性，结到外壳的热阻（Rth(j-c)）约为0.5°C/W，有助于在高功率应用中保持良好的散热性能。器件的封装材料符合RoHS环保标准，适用于环保型电子产品设计。

2SK4008-01MR MOSFET主要应用于各类高性能功率电子系统中。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及电机驱动电路。由于其高效率和低导通电阻的特性，特别适合用于需要高效率和低损耗的电源管理模块。
　　此外，该MOSFET也可用于音频功率放大器和射频（RF）功率放大器中，其高频特性使其在通信设备和工业控制系统中表现出色。由于其封装形式适合表面贴装，2SK4008-01MR也广泛用于紧凑型便携设备中，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理系统。
　　在工业自动化和汽车电子领域，该器件可用于电机控制、LED照明驱动和各种功率开关应用，满足对高可靠性和长寿命的严格要求。

Si9410BDY-T1-GE3, IRF7413PBF, FDS4410AS, 2SK3560