CRJF99N65G2F是一款高性能的硅基MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于CoolRig系列。该器件采用先进的制造工艺,专为高效率和低损耗应用设计。它适用于各种开关电源、电机驱动和工业控制领域。这款MOSFET具有极低的导通电阻和出色的开关性能,能够在高频条件下保持高效的功率转换。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:99A
导通电阻:30mΩ
栅极电荷:120nC
总电容:1500pF
工作温度范围:-55℃ to +175℃
CRJF99N65G2F具备超低的导通电阻,这使其在高电流应用中能够显著减少传导损耗。同时,其优化的栅极电荷和输出电容确保了快速的开关速度,从而降低开关损耗。
此外,该器件具有较高的雪崩耐量和热稳定性,能够在恶劣的工作环境下可靠运行。其封装形式采用了行业标准的TO-247,方便散热并易于集成到现有系统中。
由于其优异的电气特性和可靠性,CRJF99N65G2F特别适合于要求高效能和高稳定性的应用场合,例如服务器电源、光伏逆变器和电动汽车牵引逆变器等。
CRJF99N65G2F广泛应用于各类功率电子设备中,包括但不限于以下领域:
- 开关模式电源(SMPS)
- 不间断电源(UPS)
- 光伏逆变器
- 电动汽车驱动系统
- 工业自动化与控制
- 大功率LED驱动
其卓越的性能使得这款MOSFET成为许多高端功率应用的理想选择。
CRJF95N65G2F
CRJF100N65G2F
IRFP460
FQA99N65S