2SK3933-01S 时间：2025/8/9 10:28:08 阅读：24

2SK3933-01S 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高频开关和功率放大应用。这款MOSFET具有较低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关特性，适合用于DC-DC转换器、电源管理、射频（RF）功率放大器等高效率电子设备中。2SK3933-01S采用SOT-343（SC-70）小型封装，便于在空间受限的电路中使用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±8V
　　漏极电流（Id）：200mA
　　导通电阻（Rds(on)）：最大3.5Ω（在Vgs=4.5V时）
　　功耗（Pd）：200mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-343（SC-70）

特性

2SK3933-01S MOSFET具有多项优异的电气特性，适用于高频和低功耗应用场景。其低导通电阻有助于降低功率损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较小，使其在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关损耗。
　　该MOSFET的SOT-343封装形式具有良好的热性能和小型化优势，适合在便携式设备和高密度PCB布局中使用。其高耐压能力和良好的稳定性使其在复杂的工作环境中依然保持可靠性能。
　　该器件还具备良好的抗静电能力（ESD保护），提高了在实际使用中的稳定性和耐用性。2SK3933-01S 的设计也使其在低电压应用中表现出色，例如电池供电设备、LED驱动电路、微型电机控制电路等。这些特性共同确保了其在多种电子系统中的广泛应用潜力。

应用

2SK3933-01S 主要用于以下类型的应用：
　　1. 电池供电设备中的电源管理电路，如智能手机、平板电脑和穿戴设备。
　　2. DC-DC转换器和升压/降压调节器，用于提高能源利用效率。
　　3. 射频（RF）功率放大器，用于无线通信模块和射频前端电路。
　　4. LED背光和照明驱动电路，提供高效、稳定的电流控制。
　　5. 低功耗微控制器外设驱动，如微型电机、继电器和传感器控制。
　　6. 作为逻辑电平转换和负载开关的通用MOSFET使用。