时间：2025/8/9 12:08:57
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2SK3915-01MR 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，适用于高效率电源转换设备，如DC-DC转换器、电源管理和负载开关等应用。该MOSFET采用高密度单元设计，具备低导通电阻（Rds(on)）特性，能够在高频率下稳定工作，同时提供出色的热性能和可靠性。该型号封装为SOP（Small Outline Package）形式，适用于表面贴装技术。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：60A
导通电阻（Rds(on)）：最大5.7mΩ（@Vgs=10V）
功率耗散（Pd）：100W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOP（表面贴装）
2SK3915-01MR MOSFET具备多项优良特性，使其适用于高功率密度和高效率电源系统。其低导通电阻（Rds(on)）可有效降低导通损耗，从而提高整体系统效率。该器件的高电流承载能力（最高60A）使其适用于高功率应用，例如DC-DC转换器、同步整流器和电机驱动电路。
此外，该MOSFET采用先进的沟槽式栅极结构，提升了开关性能并减少了栅极电荷（Qg），从而降低了开关损耗。其±20V的栅极电压耐受能力增强了在高压驱动电路中的稳定性，避免因过压导致的栅极击穿。
器件的SOP封装设计不仅节省空间，还具有良好的热管理能力，确保在高功率运行时仍能保持较低的温度上升。此外，其符合RoHS标准，适用于环保电子产品的设计。
由于其出色的电气性能和可靠性，2SK3915-01MR广泛应用于服务器电源、通信设备、工业控制系统和汽车电子等高性能电源管理领域。
2SK3915-01MR MOSFET主要用于需要高效率和大电流能力的电源管理应用，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机驱动电路以及服务器和通信设备的电源模块。其高可靠性和紧凑型封装也使其适用于空间受限的工业控制和汽车电子应用。
Si7490DP, IRF6717, 2SK3916-01MR
