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US1D-13-F 发布时间 时间:2025/5/27 10:44:22 查看 阅读:11

US1D-13-F 是一款高精度、低功耗的霍尔效应传感器,广泛应用于工业自动化和消费电子领域。该器件通过检测磁场强度来输出数字信号,具有快速响应和高可靠性的特点。其采用表面贴装封装,适合自动化的SMT生产线,能有效降低装配成本。

参数

工作电压:2.8V~5.5V
  输出类型:数字开关输出
  供电电流:最大10mA
  感应灵敏度:10mT(典型值)
  响应时间:小于1μs
  工作温度范围:-40℃~+85℃
  封装形式:SOT-23

特性

US1D-13-F 的主要特点是其卓越的稳定性和抗干扰能力,能够在复杂的电磁环境下正常工作。它内置了先进的温度补偿电路,确保在不同环境温度下仍能保持较高的测量精度。此外,该芯片支持双向磁场检测,可以识别磁场方向的变化,并通过输出信号反映出来。
  这款霍尔传感器还具有过压保护和反向极性保护功能,增强了产品的耐用性和安全性。它的低功耗设计使得其非常适合电池供电设备,例如无线鼠标、游戏控制器和其他便携式电子产品。

应用

US1D-13-F 广泛应用于各类需要非接触式位置或速度检测的场景,包括但不限于:
  - 汽车电子中的转速计数与方向判断
  - 工业设备的位置检测和限位开关
  - 消费类电子产品的按键和滑动开关
  - 家电中的风扇速度监控和无刷电机控制
  - 医疗设备中的流量传感器和阀门位置反馈
  由于其体积小、性能稳定,因此也常用于智能卡读写器等对空间要求较高的场合。

替代型号

US1D-12-F, US1D-14-F, A1112LUT-T

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US1D-13-F参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)200V
  • 电流 - 平均整流 (Io)1A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1V @ 1A
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)50ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电5µA @ 200V
  • 电容@ Vr, F20pF @ 4V,1MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳DO-214AC,SMA
  • 供应商设备封装SMA
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称US1D-FDIDKR