时间：2025/8/8 23:30:52
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2SK3888是一款N沟道增强型功率MOSFET，由东芝公司生产。该器件专为高功率开关应用设计，具有优异的导通和关断特性。其采用了先进的平面工艺制造，确保了器件的高可靠性和长寿命。2SK3888通常用于电源转换器、电机驱动、DC-DC变换器、UPS系统等功率电子设备中。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：500V
最大漏极电流(Id)：12A
导通电阻(Rds(on))：0.42Ω @ Vgs=10V
最大功耗(Pd)：100W
栅极电压范围(Vgs)：±30V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220
漏源击穿电压(BVdss)：500V
阈值电压(Vgs(th))：2V ~ 4V
输入电容(Ciss)：1400pF @ Vds=25V
2SK3888具有低导通电阻，能够有效降低功率损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具有优异的热稳定性，可在高温环境下稳定工作，适合高可靠性应用。其高耐压能力使其适用于高电压开关电路，同时具备较强的抗浪涌电流能力，能承受较大的瞬态负载。2SK3888的封装设计有助于良好的散热性能，确保器件在高功率条件下仍能保持稳定运行。此外，该器件具有快速开关特性，适用于高频开关应用，有助于减小外围电路的尺寸。由于其高稳定性和可靠性，2SK3888在工业电源、通信设备和自动化控制领域得到广泛应用。
2SK3888广泛应用于各类功率电子设备中，如开关电源(SMPS)、逆变器、DC-AC转换器、UPS不间断电源、电机控制电路、照明驱动器、工业自动化系统以及电池充电器等。由于其高耐压和高电流能力，该MOSFET也常用于高压直流输电、电力电子变换器和新能源系统中。
2SK2648, 2SK2013, IRF840, IRF830
