时间：2025/8/9 11:18:21
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2SK3874-01R 是由东芝（Toshiba）生产的一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高频开关和功率放大应用。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和高开关速度的特性，适合用于需要高效能和紧凑设计的电源系统。该型号的封装形式为SOP（小外形封装），适用于表面贴装技术（SMT），便于在高密度PCB布局中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：20V
漏极电流（ID）：5A
导通电阻（RDS(on)）：35mΩ（最大值，VGS=10V）
功率耗散（PD）：2W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOP-8
2SK3874-01R 具备多项优异特性，使其在功率电子设计中表现出色。
首先，该MOSFET采用了先进的沟槽技术，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其最大RDS(on)为35mΩ，当VGS=10V时，确保了良好的电流传输能力。
其次，该器件的漏源电压（VDS）为30V，适用于低压功率转换系统，如DC-DC转换器、负载开关和电机控制电路。漏极电流（ID）为5A，能够在较高电流负载下稳定运行。
此外，2SK3874-01R采用SOP-8封装，具有良好的热性能和电气性能，支持表面贴装工艺，适用于自动化生产。其功率耗散为2W，能够在较高的环境温度下可靠工作。
该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应广泛的工作环境，同时具备较高的稳定性和可靠性，适用于工业级应用。
2SK3874-01R 适用于多种电子系统，尤其是在需要高效能、低导通损耗和紧凑设计的场合。
常见应用包括DC-DC转换器、同步整流电路、负载开关、电机驱动器和电源管理系统。其低RDS(on)特性使其在电池供电设备中表现优异，有助于延长电池续航时间。
由于其高频开关性能，2SK3874-01R也可用于高频功率放大器和开关电源（SMPS）中的初级或次级侧开关。此外，该器件适用于需要高可靠性的工业控制设备、通信设备和消费类电子产品。
在电机控制应用中，该MOSFET可用于H桥驱动电路，实现直流电机或步进电机的方向和速度控制。在LED照明系统中，也可作为恒流控制开关，实现高效率的电源管理。
Si2302DS、FDN340P、2SK3874-01RL、2SK3874-01L、2SK3874-01RL
