类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±8V
　　连续漏极电流（Id）：100mA
　　导通电阻（Rds(on)）：5.5Ω（最大值）
　　漏极功耗（Pd）：100mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-343

2SK3872-01S具有多个优异的电气和物理特性，使其在高频和低功耗应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在开关过程中能够保持较低的功率损耗，提高系统的整体效率。其次，该MOSFET具有良好的高频响应能力，适合用于射频（RF）放大器、调制解调器以及无线通信模块等高频电路设计。
　　此外，该器件采用了小型SOT-343封装，体积小巧，便于在空间受限的便携式设备中使用。这种封装还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，提高了设备的可靠性和耐用性。同时，其较高的栅极绝缘性能确保了在各种工作条件下都能维持稳定的性能表现，避免因栅极击穿导致的器件失效。
　　2SK3872-01S的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于宽温度范围的工业级和消费级应用。其最大漏极电流为100mA，在低功率开关和信号控制电路中能够提供稳定的性能。该器件的漏极功耗为100mW，适合用于低功耗系统设计，如电池供电设备、智能卡读写器、无线传感器网络等应用领域。

2SK3872-01S MOSFET适用于多种电子系统，尤其是在需要高频响应和低功耗特性的应用场景中。例如，在无线通信系统中，该器件可以用于射频前端开关、功率放大器的控制电路以及天线切换电路。在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，它常用于DC-DC转换器、电源管理模块以及信号路由控制电路。
　　此外，该MOSFET也广泛用于消费类电子产品中的LED驱动电路、音频放大器的电源开关以及低功耗传感器接口电路。在汽车电子系统中，它可用于车载导航设备、无线通信模块以及车载娱乐系统的信号处理部分。
　　由于其优异的高频特性和小型封装，2SK3872-01S也非常适合用于高频振荡器、调制器和解调器电路，能够有效提升电路的工作效率和稳定性。

2SK2413, 2SK3018, 2SK3872