2SK3829 时间：2025/9/21 0:40:16 阅读：4

2SK3829是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及其他需要高效率功率转换的电子设备中。该器件采用先进的平面硅栅极工艺制造，具备低导通电阻和高可靠性，适合在高频率开关条件下工作。2SK3829封装形式为SOT-223，这种小型化封装不仅节省电路板空间，还具备良好的热传导性能，适用于紧凑型电源设计。作为一款面向工业与消费类电子应用的功率MOSFET，2SK3829在电源管理领域具有较高的性价比和稳定性。其设计重点在于实现低损耗、高效率以及良好的热稳定性，能够满足现代电子系统对节能和小型化的严格要求。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应当前绿色电子制造的趋势。2SK3829常用于同步整流、负载开关、电机驱动等场景，在笔记本电脑适配器、LCD电视电源、通信设备电源模块中均有实际应用案例。

参数

型号：2SK3829
　　极性：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：6A
　　脉冲漏极电流（Idm）：24A
　　导通电阻（Rds(on)）：18mΩ（@ Vgs=10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：25mΩ（@ Vgs=4.5V）
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：900pF（@ Vds=15V）
　　输出电容（Coss）：270pF（@ Vds=15V）
　　反向传输电容（Crss）：60pF（@ Vds=15V）
　　功耗（Pd）：1.5W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-223

特性

2SK3829具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势体现在低导通电阻和高电流承载能力上。该器件在Vgs=10V时的典型Rds(on)仅为18mΩ，这意味着在大电流工作条件下能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。对于电池供电设备或对能效要求较高的应用而言，这一特性尤为重要。同时，其在较低栅极驱动电压（如4.5V）下仍能保持25mΩ的低导通电阻，使其兼容3.3V或5V逻辑控制信号，适用于由微控制器直接驱动的场合。
　　该MOSFET采用东芝成熟的平面栅极技术，确保了器件的一致性和长期可靠性。其结构设计优化了载流子迁移路径，减少了内部寄生参数，从而提升了开关速度和频率响应能力。输入电容Ciss为900pF，输出电容Coss为270pF，这些较低的电容值有助于减少栅极驱动功率需求，并加快开关转换过程，降低开关损耗，特别适合高频PWM控制应用。
　　2SK3829的SOT-223封装不仅体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，而且具有良好的散热性能。通过将散热片连接到PCB上的大面积铜箔，可以有效将工作时产生的热量导出，避免因温升过高而导致性能下降或器件损坏。此外，该器件的阈值电压范围为1.0V至2.5V，确保了开启的稳定性，同时防止误触发。在过载或短路情况下，其内置的体二极管也提供了反向电流保护功能，增强了系统的鲁棒性。

应用

2SK3829广泛应用于各类中低功率电源管理系统中。其主要应用场景包括但不限于：开关模式电源（SMPS）、DC-DC升压/降压转换器、同步整流电路、负载开关控制、电池供电设备的电源管理模块以及LED驱动电源等。在笔记本电脑、平板充电器、便携式电子设备中，该器件常被用作主开关管或同步整流管，以提升转换效率并减少发热。
　　在工业控制领域，2SK3829可用于电机驱动电路中的低端开关，控制直流电机或步进电机的启停与方向切换。由于其具备较高的脉冲电流承受能力（可达24A），因此也能应对电机启动瞬间的大电流冲击。此外，在通信设备的电源模块中，该器件因其高可靠性和稳定的电气特性而被广泛采用，用于构建高效、紧凑的隔离式或非隔离式电源拓扑。
　　消费类电子产品如LCD电视、机顶盒、路由器等的辅助电源部分也常见2SK3829的身影。它在待机电源或低压稳压电路中作为开关元件，实现低功耗运行。同时，由于其符合RoHS标准且支持无铅焊接，完全适应现代自动化贴片生产工艺，有利于大规模生产中的质量控制与成本优化。