2SK3788 时间：2025/12/29 17:00:42 阅读：21

2SK3788是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），由东芝（Toshiba）公司生产。该器件专为高频开关应用设计，适用于DC-DC转换器、电源管理和电机控制等领域。2SK3788具有低导通电阻、高耐压以及快速开关速度等特点，使其在高效率电源系统中表现出色。该MOSFET采用TO-220封装，便于散热并适用于通用电路设计。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：12A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大0.034Ω（在Vgs=10V时）
　　功耗（Pd）：40W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220

特性

2SK3788的核心特性之一是其极低的导通电阻，这使得在导通状态下功率损耗显著降低，从而提高整体系统效率。由于其低Rds(on)，该器件适用于需要高电流和低电压降的应用，如同步整流器和电池供电设备中的功率转换。此外，2SK3788具有较高的栅极击穿电压（±20V），提供了良好的栅极驱动兼容性和稳定性，允许使用标准的12V或15V驱动电路。
　　另一个显著特性是其快速开关能力。2SK3788的开关时间短，包括导通延迟时间和关断时间，适用于高频操作，例如在开关电源（SMPS）或DC-DC转换器中使用。这有助于减少开关损耗，提高能效，并减小外部滤波元件的尺寸。
　　此外，2SK3788采用了先进的硅技术，具备良好的热稳定性和高可靠性，能够在严苛的工作条件下保持稳定性能。TO-220封装设计有助于散热，确保在高负载下器件的稳定性。这种封装也方便安装在散热片上，以增强热管理能力。

应用

2SK3788广泛应用于多种电源管理与功率控制电路中。最常见的用途之一是作为同步整流器在DC-DC转换器中使用，其低导通电阻和快速开关特性使其成为高效能转换器的理想选择。此外，它也被用于电机驱动电路、电池充电器、负载开关以及高电流LED驱动器等场合。
　　在消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能电源管理设备中，2SK3788可用于高效能电源转换模块，提高设备的整体能效和电池续航能力。工业自动化设备、UPS（不间断电源）系统以及电信设备也常常采用该器件，以满足对高可靠性和高效率的严格要求。