时间：2025/8/1 13:24:12
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CS4N65A3HD-J-S 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源管理应用设计，例如在电源适配器、DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等场景中使用。CS4N65A3HD-J-S 采用先进的沟槽工艺，提供较高的性能和可靠性，同时具备较低的导通电阻（RDS(on)）以及较高的耐压能力。该型号封装形式为 TO-252（DPAK），适合表面贴装，广泛应用于各种消费类电子、工业设备和通信设备中。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：4A
最大漏源电压（VDS）：650V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：2.5Ω @ VGS = 10V
功率耗散（PD）：50W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
CS4N65A3HD-J-S 功率 MOSFET 的核心优势在于其卓越的导通性能与耐用性。它采用先进的沟槽技术，确保在高频率开关应用中保持低导通损耗和高效率。该器件的最大漏源电压为 650V，能够承受高压环境，同时具备较高的热稳定性和抗过载能力。CS4N65A3HD-J-S 的导通电阻（RDS(on)）仅为 2.5Ω，这在功率 MOSFET 中属于较低水平，有助于减少功率损耗，提高系统效率。
此外，该器件的栅源电压范围为 ±20V，使其适用于多种栅极驱动电路设计。TO-252（DPAK）封装形式不仅具备良好的散热性能，还支持表面贴装工艺，简化了 PCB 布局并提高了装配效率。CS4N65A3HD-J-S 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适应了宽温度范围的应用需求，包括工业级和汽车电子应用。
CS4N65A3HD-J-S MOSFET 主要用于电力电子系统中的开关和功率管理功能。其高耐压和低导通电阻特性使其非常适合用于电源适配器、AC-DC 和 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及 LED 照明驱动电路。在电源适配器中，CS4N65A3HD-J-S 可作为主开关器件，实现高效的能量转换，同时减少发热和功率损耗。在 DC-DC 转换器中，该器件可作为同步整流器或主开关，提升整体效率并缩小电路体积。
在工业应用中，CS4N65A3HD-J-S 可用于驱动继电器、电磁阀和电机，实现高效的功率控制。其表面贴装封装形式也使其适用于自动化装配和紧凑型设计。此外，由于其宽温度范围特性，CS4N65A3HD-J-S 也适合用于汽车电子系统，如车载充电器、车身控制模块和车载信息娱乐系统中的电源管理部分。
SiHF4N65D-S, FQP4N65C, STF4N65M2, NTD4N65L
