时间：2025/8/9 10:53:44
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2SK3753-01R 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高频开关应用和功率转换系统。该器件采用小型表面贴装封装（SOT-23），适用于各种电子设备中的高效率电源管理。其高开关速度和低导通电阻使其非常适合用于DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：最大100mA
漏源电压（VDS）：最大30V
栅源电压（VGS）：最大±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为3.5Ω（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：最大300mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：SOT-23
2SK3753-01R具有优异的高频性能和快速开关特性，适用于需要高效率和低功耗的设计场景。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，以降低导通电阻并提升开关速度。其低栅极电荷（Qg）特性有助于减少开关损耗，从而提高整体系统效率。
此外，2SK3753-01R的封装形式为SOT-23，体积小巧，适合高密度PCB布局。该MOSFET还具备良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定运行。其栅极保护设计允许较高的栅源电压（±20V），提高了在复杂电路环境中的适用性。
2SK3753-01R广泛应用于各种电子设备，包括便携式电子设备、DC-DC转换器、LED驱动电路、电池管理系统、小功率电机控制、负载开关和逻辑电平转换等场景。该器件特别适用于需要高效能、低功耗和紧凑设计的嵌入式系统和消费电子产品。
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