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2SK3727 发布时间 时间:2025/8/9 9:53:53 查看 阅读:27

2SK3727 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理电路中。这款MOSFET具备低导通电阻、高开关速度和高耐压等优点,适合用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制和电池充电器等应用场景。其封装形式通常为TO-220或类似功率封装,便于散热和安装。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏极电压(Vds):60V
  最大源极电压(Vss):-20V(典型)
  最大漏极电流(Id):12A(连续)
  最大功耗(Pd):50W
  导通电阻(Rds(on)):0.03Ω(典型,Vgs=10V)
  栅极电荷(Qg):20nC(典型)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TO-220

特性

2SK3727 MOSFET具备多项优良特性,首先其低导通电阻(Rds(on))能够显著降低导通状态下的功率损耗,提高系统效率。其次,该器件具有较高的最大漏极电压(60V)和较大的最大漏极电流(12A),适用于多种中高功率应用场合。此外,该MOSFET的栅极电荷(Qg)较低,意味着其开关速度较快,适合用于高频开关应用,从而减小外部滤波元件的尺寸并提升系统响应速度。
  该器件还具有良好的热稳定性与可靠性,能够在较宽的温度范围内(-55°C至150°C)稳定工作,适用于环境条件较为严苛的工业设备和汽车电子系统。TO-220封装形式不仅具备良好的散热性能,同时也便于安装在散热片上,以进一步提升散热效率。
  2SK3727的设计还考虑了抗雪崩击穿能力,使其在高压瞬态条件下仍能保持稳定运行,从而提高系统的整体耐用性。此外,其栅极驱动电压范围较宽,一般可在4V至20V之间工作,确保了与不同类型的栅极驱动电路兼容。

应用

2SK3727 MOSFET主要应用于各类电源管理系统和功率控制电路中。在开关电源(SMPS)中,它被用作主开关元件,负责高效的能量转换。在DC-DC转换器中,该器件用于升压或降压操作,以提供稳定的输出电压。此外,2SK3727还可用于电机驱动控制电路,实现电机的快速启停和调速功能,广泛应用于工业自动化设备和电动工具中。
  在电池充电器设计中,该MOSFET可用作充电电流控制开关,以提高充电效率并减少发热。它也常用于负载开关电路、电源管理模块以及LED照明驱动电路中。由于其高可靠性和良好的热稳定性,2SK3727在汽车电子系统中也有广泛应用,例如车载充电系统、电机控制器和车载逆变器等。
  此外,该器件还适用于UPS(不间断电源)、逆变器、太阳能逆变器以及其他需要高效率和高可靠性的功率电子设备。

替代型号

SiHF60N06, IRFZ44N, FDP60N06, STP60NF06, IRLZ44N

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