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2SK3703-SA-TH 发布时间 时间:2025/8/6 16:22:04 查看 阅读:21

2SK3703-SA-TH 是一款由东芝(Toshiba)公司推出的N沟道增强型功率MOSFET,适用于高频率和高效能的开关应用。这款MOSFET采用了先进的工艺技术,提供了低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性。2SK3703-SA-TH广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和照明系统等电子设备中。该器件采用表面贴装封装(SOP),适合现代电子设备的紧凑设计。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏极电流(Id):2A
  漏源电压(Vds):600V
  栅源电压(Vgs):±30V
  导通电阻(Rds(on)):约3.5Ω(最大值)
  功率耗散(Pd):50W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:SOP

特性

2SK3703-SA-TH MOSFET具备多个优良的电气和物理特性。首先,它的高耐压能力(Vds = 600V)使其非常适合用于高电压应用,如开关电源和高压DC-DC转换器。其次,该器件的导通电阻较低,约为3.5Ω,这有助于减少导通损耗,提高系统的整体效率。此外,2SK3703-SA-TH的栅极驱动电压范围较宽(±30V),使其能够兼容多种驱动电路,简化了设计过程。
  该MOSFET的封装形式为SOP,体积小巧,适合高密度PCB布局。同时,其良好的热管理能力确保了在高功率应用中的稳定性。2SK3703-SA-TH的工作温度范围为-55°C至+150°C,能够在极端环境下稳定工作,适用于工业级和汽车电子应用。此外,该器件的封装设计具有良好的机械强度和耐腐蚀性,提高了产品的可靠性和使用寿命。

应用

2SK3703-SA-TH MOSFET主要应用于各种电源管理系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC转换器。其高耐压和低导通电阻特性使其在这些应用中能够高效地进行能量转换,减少热量产生并提高整体效率。此外,2SK3703-SA-TH也常用于电机控制电路,特别是在需要精确控制和高效能的场合,如电动工具、风扇和泵的驱动系统。

替代型号

2SK2545, 2SK2092, 2SK1761

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