时间：2025/8/9 19:03:50
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2SK3699-01MR是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻和高速开关性能，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制等多种电子系统。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：30V
最大漏极电流（ID）：10A
导通电阻（RDS(on)）：22mΩ（典型值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：1.5V（典型值）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：SOP-8
2SK3699-01MR MOSFET采用了先进的沟槽结构技术，有效降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统的效率。其低导通电阻（RDS(on)）仅为22mΩ，能够在高电流应用中保持较低的功率损耗。此外，该器件的栅极阈值电压为1.5V，使其能够在低电压控制系统中轻松驱动，适用于现代高效能、低功耗的电子设备。该MOSFET还具有较高的热稳定性和良好的动态响应能力，能够在高频开关应用中保持稳定性能。
在封装方面，2SK3699-01MR采用了SOP-8封装形式，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用。其封装设计有助于提高散热效率，确保在高功率工作条件下仍能保持稳定运行。该器件的工作温度范围从-55°C到+150°C，适用于各种严苛的工作环境。此外，2SK3699-01MR的高可靠性和长寿命也使其成为工业控制、消费电子和汽车电子等领域的理想选择。
2SK3699-01MR广泛应用于多个领域，包括但不限于：DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制、LED驱动器、电源管理模块以及各类高效率电源转换设备。其低导通电阻和高速开关特性使其特别适合需要高效能和低功耗的场合。
2SK3699-01MR, 2SK3699-01M, Si2302DS, FDS6680, AO4406
