GL9D03D 时间：2025/8/28 16:07:56 阅读：4

GL9D03D是一款由Giantec Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理和功率转换应用中。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统以及电机控制等场合。GL9D03D采用TO-252（DPAK）封装形式，便于安装和散热设计，适合于中高功率的电子系统中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：120A（Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大3.5mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装：TO-252（DPAK）

特性

GL9D03D MOSFET的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统的整体效率。在30V的漏源击穿电压下，它能够承受较高的电压应力，适用于多种电源拓扑结构。
　　此外，该器件具有高栅极电荷（Qg）性能优化，使得开关损耗较低，适用于高频开关应用。GL9D03D还具备良好的热稳定性，TO-252封装设计有助于快速将热量传导至PCB或散热片，从而提高器件在高负载条件下的可靠性。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围宽，支持常见的10V驱动电压，兼容标准的MOSFET驱动IC。其高雪崩能量耐受能力也增强了在突发负载或反向电压情况下的稳定性，适合用于电池供电系统和高可靠性设备中。

应用

GL9D03D常用于各种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率控制部分。
　　由于其高电流能力和低导通电阻，GL9D03D也适用于需要高效能和紧凑设计的便携式设备电源管理模块，如笔记本电脑、移动电源和电动工具等。
　　此外，该器件还可用于汽车电子系统中的功率控制，如车载充电器、起停系统和LED照明驱动电路等，满足汽车应用中对高可靠性和高效率的需求。