时间：2025/8/9 16:26:42
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2SK3698-01 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET晶体管，主要用于高频率开关应用，如DC-DC转换器、电源管理以及电池供电设备中的功率控制。该器件采用先进的工艺制造，具备低导通电阻、高耐压、高功率密度等优点，适用于高效能、紧凑型电源系统的设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：20A（在Tc=25℃）
脉冲漏极电流（Idm）：80A
耗散功率（Pd）：150W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
2SK3698-01 MOSFET具有多项显著特性，适用于高性能电源管理应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。典型Rds(on)值在4.5V栅极驱动下可低至约7.5mΩ，这使得它在高电流应用中表现优异。
其次，该器件具备高耐压能力，漏源电压额定值为30V，适合中低电压功率转换系统。其高栅极电压容限（±20V）也增强了其在复杂驱动环境下的稳定性。
此外，2SK3698-01采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适用于表面贴装技术（SMT），便于自动化生产并提升系统可靠性。
该MOSFET的高频响应能力使其适用于开关频率较高的应用，如同步整流、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等。其快速开关特性也有助于减小外围电路的尺寸，提升整体系统的功率密度。
同时，该器件具有良好的热稳定性与抗过载能力，在高负载条件下仍能保持稳定运行。其设计也考虑了EMI（电磁干扰）控制，有助于降低高频开关过程中可能产生的噪声。
综上所述，2SK3698-01是一款性能优异、适用性广泛的N沟道功率MOSFET，适用于现代高效能、高可靠性电源系统的设计。
2SK3698-01 MOSFET广泛应用于各类需要高效功率控制的电子设备中。典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电源管理系统、电池供电设备、负载开关电路、电机驱动器以及电源适配器等。
在DC-DC转换器中，该器件可作为主开关元件，利用其低导通电阻和高频响应特性实现高效率的能量转换。在同步整流电路中，2SK3698-01能够有效降低整流损耗，提高整体系统效率。
此外，该MOSFET也适用于电池管理系统，如笔记本电脑、移动电源等设备中的充放电控制。其高电流承载能力和热稳定性确保了在高负载条件下的稳定运行。
由于其封装形式适用于表面贴装技术，因此也广泛用于自动化生产线中，满足现代电子产品的小型化和高集成度需求。
Si4410BDY, IRF3703PBF, FDP6670, 2SK3697-01
