时间：2025/8/9 13:55:52
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2SK3697-01是一款由东芝公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于需要高效、高功率密度的电源管理应用中。这款MOSFET具有低导通电阻和高耐压特性，适用于DC-DC转换器、电池充电器、电机控制器等应用场景。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100A（Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：4.2mΩ（最大值，Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
2SK3697-01具有多项优异特性，首先是其低导通电阻，确保了在高电流应用中最小的功率损耗，从而提高了整体效率。其次，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使得在高温环境下依然能够保持稳定性能。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高负载条件下维持可靠的工作状态，减少过热导致的失效风险。
该器件的封装设计有助于高效的散热管理，TO-220封装在电路板上安装简便，同时能够有效传导热量，适用于高功率密度的设计。栅极驱动电压范围宽广，支持常见的10V驱动电压，简化了驱动电路设计。
另外，2SK3697-01还具备快速开关特性，降低了开关损耗，提高了响应速度，使其在高频应用中表现优异。
2SK3697-01广泛应用于多种电力电子设备中，包括但不限于DC-DC转换器、电池管理系统、电机控制、电源供应器、工业自动化设备和电源管理模块。由于其高电流承载能力和低导通电阻，特别适合于需要高效率和高可靠性的应用场景。
SiR1000DP-T1-GE3, IRF1010EZSPBF
